关于模拟eeprom存储的问题

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我用F407ZET6的芯片，用FLASH 模拟 EEPROM 读写一种重要数据，这些数据要在后面的程序用，FLASH 模拟 EEPROM读写时要先设置

FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[2:0]  为5，我开机后读取 模拟 EEPROM后就不用了，执行后面的程序时候是不是要切换到自适应实时存储器加速器 模式？还是说继续执行就可以了，两个执行速度有区别吗？求解

正点原子

可以参考我们407的例程