提高内部flash寿命

everymama · 发表于 2013-12-19 15:59:27

请问各位大神，对STM32内部flash操作时能不能像外部flash那样在已写过数据的地址不擦除直接写全0，

qq942266575 · 发表于 2016-8-5 08:29:16

每写一个字节地址+1 ，满了在从新开始，平衡磨损

正点原子 · 发表于 2013-12-19 16:04:19

这能提高寿命么？

八度空间 · 发表于 2013-12-19 16:57:59

回复【楼主位】everymama:
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提高寿命？？？是延期它的退休年龄吧，这样的话直接下载到SRAM上面运行得了，呵呵

everymama · 发表于 2013-12-20 09:14:52

STM32的闪存存储器的擦写次数指标10,000次，我在内部flash 88K以后用来存一些数据，有时会需要对这些数据删除，删除时我先在对应的地址上全写0，当要删除的数据达到一页时再擦除一整页。这样就减少擦除是次数，能延期它的退休年龄么?

everymama · 发表于 2013-12-20 09:18:05

回复【3楼】Badu_Space:
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我这个数据蛮大的，有可能用到40K，在SRAM的话重启时数据就丢失了。

styleno1 · 发表于 2013-12-20 09:30:23

经常修改的用Flash不合适，偶尔修改的倒是省事的做法

八度空间 · 发表于 2013-12-20 11:31:38

回复【5楼】everymama:
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调试的时候可以下载到SRAM上调试啊，这样你的flash就不用了，不是么？

myxiaoniao · 发表于 2016-8-4 13:49:01

楼主还在吗如果你看stm32的闪存编程手册就不会有这个疑问是支持全写0的

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