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关于stm32外部SRAM

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发表于 2013-12-3 21:21:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

(1)如图文中对于地址加的解释为“这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.”
        我有点疑问,FSMC的地址右移不是在内部HADDR与FSMC连接产生的吗?在数据手册上也有相应的说明呀。为什么这里要加2相当于加1呢??


                                        表87 外部存储器地址
        数据宽度(1)              连到存储器的地址线                             最大访问存储器空间(位) 

        8位                  HADDR[25:0]与FSMC_A[25:0]对应相连          64M字节x 8 = 512 M位
        16位                HADDR[25:1]与FSMC_A[24:0]对应相连,        HADDR[0]未接  64M字节/2 x 16 = 512 M位



        (1) 对于16位宽度的外部存储器,FSMC将在内部使用HADDR[25:1]产生外部存储器的地址FSMC_A[24:0]。不
        论外部存储器的宽度是多少(16位或8位),FSMC_A[0]始终应该连到外部存储器的地址线A[0]。


(2)配置的时候不是选的16位数据宽度吗,为什么读和写的时候都是用的8位呢???


希望大神能给解答一下






好多问题不会呀。。。。
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发表于 2013-12-3 22:28:45 | 显示全部楼层
1,你这是库函数版本代码,有误,应该是:
//在指定地址(WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR)开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)  
{     
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   
WriteAddr++;
pBuffer++;
}   
}     
//在指定地址((WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR))开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)  
{     
*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    
ReadAddr++;
}  

因为是u8型的数组。
地址加1就可以了,FSMC有UB,LB控制,所以这里加1也可以的。

2,还是如1,因为FSMC有UB/LB控制,所以8位数据也可以处理。
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 楼主| 发表于 2013-12-4 10:25:01 | 显示全部楼层
回复【2楼】正点原子:
---------------------------------
原子哥的意思是读一个字节的时候,FSMC自动选择UB/LB的时序??
看来我得好好看看STM32的数据手册了!
好多问题不会呀。。。。
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发表于 2013-12-4 11:40:19 | 显示全部楼层
回复【3楼】黑knight:
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 是的
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