请教一个关于VS1053读写RAM区的问题。

疯狂者

刚才弄VS1053的RAM遇到点疑惑，向大家请教下。

问题是：举个例子，手册上说对：0x1e04写入不同的值可以对歌曲加速播放：

于是我写了函数，先写入WRAMADDR寄存器，写入地址0x1e04，再写入WRAM，写入数据，2。（2倍速度播放）
然后我发现没反应，单独测试，先写入，再读出数据。发现数据一直是0x0000，然后我再每个操作后面加了个延时，竟然就正常了，写读出来数据正确，播放速度加倍。
但是我不明白为什么要延时，而我的读写寄存器的函数里面也有检查DREQ是否为高电平。所以我不明白延时是给哪个地方等待的。手册找了好久一直找不到为什么。不知道是不是我看漏了。
麻烦大家指点下。


下面是加了延时后的：

下面是读写寄存器的函数：

算了，不纠结了，五楼结帖算了！

最后还是钻了好一会，发现原因了，7楼结帖。

疯狂者

 

自己也想过会不会是这个时间问题。但80的那些直接操作都没问题，而100的.....不会这么巧吧......
我继续看看....
还是继续边查手册边等待大家的指点...
谢谢

正点原子

可能就是这么巧，呵呵。

疯狂者

回复【3楼】正点原子:
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但是还是不明白是延时后发生了什么，我前面的读写寄存器都有检测DREQ了...请问原子你出现过这样的问题吗？

正点原子

没遇到过。

疯狂者

算了，不纠结这个牛角尖了，钻了一整天，手册从头翻到尾，从尾翻到头！从怀疑VS1053芯片，到怀疑STM32.....泪奔！

就以这句话作为结论算了，之前一直认为等待DREQ变高就是vs1053操作完成，现在把他理解成能否传输数据就好多了，所以每个读写寄存器后面应该多预留一段小延时给芯片完成操作，保险点。

虽然下面的话是在另外个模式的..但..也看看.

反正结果：加上1us小延时后无论什么时候怎么读写RAM都正常了....

正点原子

呵呵，退一步海阔天空。

疯狂者

回复【7楼】正点原子:
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原子哥，请原谅我，虽然我下午说不钻了，但我过了一会儿还是忍不住在钻！.嘿..不过这次有结论了，最后我发现，原来是我的是SPI_TurnSpeed(7),而且我用的是SPI2....分频太大了，一直以为越慢越稳定越好，没想到慢了也有不好的时候.......终于可以完美结帖了！

正点原子

回复【8楼】疯狂者:
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精神可嘉啊。