想请教一下JTAG和串口下载的问题

luckyluke · 发表于 2017-10-27 02:48:15

   做了一套自己的电路板，已经下载好了自己的程序，但是在随后的调试中F4下载失败，硬件方面BOOT脚都拉低，8M晶振也起振着，3.3V供电稳定。    但是在JTAG下载的时候出现了出现了这样的情况：

* JLink Info: Device "STM32F407ZG" selected (1024 KB flash, 128 KB RAM).

JLink info:
------------
DLL: V4.80g, compiled Feb 13 2014 20:50:02
Firmware: J-Link ARM V8 compiled Nov 25 2013 19:20:08
Hardware: V8.00
S/N : 308622867
Feature(s) : RDI,FlashDL,FlashBP,JFlash,GDBFULL

* JLink Info: Found SWD-DP with ID 0x2BA01477
* JLink Info: Found SWD-DP with ID 0x2BA01477
* JLink Info: Found Cortex-M4 r0p1, Little endian.
* JLink Info: FPUnit: 6 code (BP) slots and 2 literal slots
* JLink Info: TPIU fitted.
* JLink Info: ETM fitted.
ROMTableAddr = 0xE00FF003

Target info:
------------
Device: STM32F407ZG
VTarget = 3.293V
State of Pins:
TCK: 0, TDI: 1, TDO: 1, TMS: 1, TRES: 1, TRST: 1
Hardware-Breakpoints: 6
Software-Breakpoints: 8192
Watchpoints:       4
JTAG speed: 1000 kHz

Erase Failed!
Error: Flash Download failed  -  "Cortex-M4"

这样的信息感觉JTAG已经连接上了F4，但是最后擦除失败。网上搜索了一下情况大抵是在setting里面的配置，配置后仍然没有什么帮助。
这个论坛里有提到用先用串口下载，然后再用jtag下载，事实证明这样的顺序确实可以下载成功。但是串口很少下载成功。在flymcu里会出现这样的状况：

DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...5, 接收到:79 1F
在串口COM9连接成功@115200bps，耗时827毫秒
芯片内BootLoader版本号：3.1
芯片PID：00000413  STM32F40xx_41xx
芯片已设置读保护
芯片有读保护，请先擦除器件以清除读保护
开始去除读保护(全片擦除时间会比较长，请耐心等候!)
去除读保护，并擦除成功
DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...5, 接收到:79 1F
在串口COM9连接成功@115200bps，耗时889毫秒
芯片内BootLoader版本号：3.1
芯片PID：00000413  STM32F40xx_41xx
芯片已设置读保护
开始去除写保护

   然后就卡停在“开始去除写保护”这句话上了。或者有些时候干脆就是“读取芯片信息出错2”
问题百思不得解，既然之前能成功下载过，为什么之后就很难再下载了。希望各位朋友能帮帮忙。
PS：程序里没有写读保护。