探索者F4开发板单片机内部flash写数据必须先擦除扇区吗

qingchapp · 发表于 2017-9-28 11:42:36

我想在stm32f407单片机flash扇区10里存一些参数，我将下面这个写flash的函数里的擦除扇区部分屏蔽掉，来改写扇区内的个别参数，结果有时成功，有时不成功。
难道每次写参数都得擦除整个扇区再写吗，这样的话如果有一个参数需要改动，其他的就都得改？

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
//       写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
//       写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
//       没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
u32 addrx=0;
u32 endaddr=0;
  if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
  FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存

addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址
//9月27日屏蔽，不擦除扇区，直接写，有待验证是否有问题
if(addrx<0X1FFF0000) //只有主存储区,才需要执行擦除操作!!
{
while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
{
status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间!!
if(status!=FLASH_COMPLETE)break; //发生错误了
}else addrx+=4;
}
}
if(status==FLASH_COMPLETE)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
  FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束,开启数据缓存
FLASH_Lock();//上锁
}