103ZET6内部flash读写参考原子老师的例程序，只能读写64K。其他的像是被写保护了，我该怎么做了？谢谢大家。

oooiou

#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08008000//32K //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)<0X0807FFFF

前面32K存程序

#define BMP_SAVE_ADDR   0X08009000 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)
每幅图最多4096字节
从  0X08009000 开始写一些图片数据到内部flash，能放12幅图片。


从  0X08010000 开始写一些图片数据到内部flash，能放3幅图片。
从  0X08020000 开始写一些图片数据到内部flash，写不进去。 

是不是写保护了？

原子老师是从这里开始写的 64K

#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000  //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大+0X08000000)

 求指点。谢谢大家

正点原子

回复【楼主位】oooiou:
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老版本代码有个小bug，新例程已经改正了。你用的是不是最新例程？
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;    //扇区地址
u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)    
  u16 i;    
u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
STMFLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小   
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1) 
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除     
}
if(i><secremain)//需要擦除
{
STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;   
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.     
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0   
    pBuffer+=secremain;   //指针偏移
WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)    
    NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}  
};
STMFLASH_Lock();//上锁
}
注意这里：WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)

oooiou

回复【2楼】正点原子:
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谢谢原子老师。我先消化一下程序。
我用的是旧版的例程序，不是全部不能写入，感觉像是到了某个地址就没法写入，像是这些页的某些开关没打开。

新版本的程序 WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)
更新了，在坛子里也看见有朋友提出来 ，还是有点理解不能。

正点原子

回复【3楼】oooiou:
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因为是16位数据，所以这里必须乘以2.

oooiou

回复【4楼】正点原子:
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谢谢。再问一个问题，
ZE的串口5收发10幅图没问题，然后我开了一个 串口1，通过cp2102连接到A口，发送10幅图，每个4096字节，发完一副之后，怎么也发不进去了，像是串口1死掉了，用助手也发不进去。复位一下单片机，又开始重复。
uart1_init(72,19200);   //COM1,PCLK2---72M,19200
float temp;
u16 mantissa;
u16 fraction;    
temp=(float)(pclk2*1000000)/(bound*16); //得到USARTDIV
mantissa=temp;   //得到整数部分
fraction=(temp-mantissa)*16;  //得到小数部分  
    mantissa<<=4;
mantissa+=fraction; 
RCC->APB2ENR|=1<<2;    //使能PORTA口时钟  

RCC->APB2ENR|=1<<14;    //使能串口时钟
GPIOA->CRH&=0XFFFFF00F; //IO状态设置PA9-TX,10-RX
GPIOA->CRH|=0X000008B0; //IO状态设置,0XB表示复用输出
  
RCC->APB2RSTR|=1<<14;    //复位串口5
RCC->APB2RSTR&=~(1<<14); //停止复位5        
//波特率设置
  USART1->BRR=mantissa; // 波特率设置  
USART1->CR1|=0X2004;  //1位停止,无校验位

//使能接收中断
USART1->CR1|=1<<8;    //PE中断使能
USART1->CR1|=1<<5;    //接收缓冲区非空中断使能     
MY_NVIC_Init(1,1,USART1_IRQChannel,2);//抢占1，响应1，组2


有什么要特别注意的吗？

正点原子

回复【5楼】oooiou:
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得看看死在哪里，这个时候，jtag的威力就显示出来了，呵呵。

oooiou

回复【6楼】正点原子:
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en 谢谢。是我缓存区 大小不对。