外部SRAM读写函数的疑问

justsun

发现寄存器版本和库函数版本关于外部SRAM的实验，读写SRAM的函数不一样。

库函数：

//在指定地址开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
    for(;n!=0;n--) 
    {                                            
        *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;      
        WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
        pBuffer++;
    }  
}                        


寄存器：
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
    for(;n!=0;n--) 
    {                                           
        *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;     
        WriteAddr++;
        pBuffer++;
    }  
}                                                                               

设置是一样的：mode A, 16bit位宽。问题来了，位宽是16位，每次写操作数据总线送出的是16bit，应该将地址和数据强制转换为指向16bit数据的指针吧？
        *(vu16*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*(u16*)pBuffer;
后面的地址+2，
这样操作才对吧。
pdf手册有一段话，寄存器和库函数版本均一样，也不是很理解：如何操作UB和LB来控制高低字节位？？FSMC控制器自动操作吗？？貌似在RM里面没找到相关操作。
这里需要注意的是：FSMC 当位宽为 16 位的时候，HADDR 右移一位同地址对其，但是 ReadAddr 我
们这里却没有加 2，而是加 1，是因为我们这里用的数据为宽是 8 位，通过 UB 和 LB 来控制高
低字节位，所以地址在这里是可以只加 1 的。   

正点原子

库函数多了个+2.
改为u8后，+1就可以了。

justsun

回复【2楼】正点原子:
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库函数+2，寄存器+1啊，不是“库函数多了个+2”啊
改为u8后，数据总线读写也变成8bit？总线如何操作的？

justsun

看了参考手册，明白了。库函数版本的读写函数错了，地址应该改为+1
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)  
{     
*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    
ReadAddr+=1;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
}  
} 


手册相关内容：
●       AHB transaction size is smaller than the memory size
Asynchronous transfers may or not be consistent depending on the type of external 
device.
–     Asynchronous accesses to devices that have the byte select feature (SRAM, 
ROM, SRAM).
a) FSMC allows write transactions accessing the right data through its byte lanes 
NBL[1:0]
b) Read transactions are allowed. All memory bytes are read and the useless 
ones are discarded. The NBL[1:0] are driven low during read transactions. 
–     Asynchronous accesses to devices that do not have the byte select feature (NOR 
and NAND Flash 16-bit).
This situation occurs when a byte access is requested to a 16-bit wide Flash 
memory. Clearly, the device cannot be accessed in byte mode (only 16-bit words 
can be read from/written to the Flash memory) therefore:
a)    Write transactions are not allowed
b)    Read transactions are allowed (the controller reads the entire 16-bit memory word 
and uses the needed byte only).

justsun

貌似宣传口号“所以代码都经过严格测试，并在开发板上面验证”要打折扣啊。。。

正点原子

回复【5楼】justsun:
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这个需要慢慢完善，有些地方不足的，希望大家多多指出。

justsun

回复【6楼】正点原子:

回复【5楼】justsun:
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这个需要慢慢完善，有些地方不足的，希望大家多多指出。

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原子的开发板很不错，信息量非常大，值得学习的内容非常多。瑕不掩瑜！

正点原子

谢谢支持

小牛试大刀

正点原子 发表于 2013-8-20 12:48
库函数多了个+2.
改为u8后，+1就可以了。

原子哥，问您几个问题。
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
    for(;n!=0;n--)
    {                                            
        *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;      
        WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
        pBuffer++;
    }  
}   
读写函数 WriteAddr+=2;还有READaddr+=2；这里注释的没看明白，能详细的解释一下吗，谢谢，原子哥。