如何使用FLASH模拟EEPROM存储大量的变量

星空 · 发表于 2013-8-16 17:21:05

您好：

原子哥，最近我在使用STM32f103的开发板是上的FLASH模拟EEPROM用来存储变量(大约有200个变量-------全部是8位无符号整型)，我先前直接使用的是您们的开发板是那个的例程，模拟的时候开始写入数据(大约3个无符号整型变量)，数据还能正常，可在继续写入数据后就发现数据或是不正常，或是不能写入了啊。是不是我写入的地址无效阿，如果是这样那么有效地址应该如何确定？还是历程不能直接使用阿？

正点原子 · 发表于 2013-8-16 21:10:32

STMFLASH_Write这个函数有点点小问题，修改后如下：

主要是：WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;    //扇区地址
u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
STMFLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
if(i><secremain)//需要擦除
{
STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
    pBuffer+=secremain;   //指针偏移
WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)
    NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
};
STMFLASH_Lock();//上锁
}