关于TFT

烧年

关于那个战舰版的lcd实验，我把那gpio口的也改成了跟自己对应的开发板的gpio口，也对应了块区bank1第1区，也重新设置了下#define LCD_BASE        ((u32)(0x60000000 | 0x000007FE))
我的是9325的，可下载进去还是白屏，没用，请问还有哪里需要修改的？？？

 

qq942266575

初始化代码不一样。

烧年

回复【3楼】qq942266575:
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它那个初始化代码可以选9325的

qq942266575

((u32)(0x60000000 | (1<<XX)))>

烧年

回复【5楼】qq942266575:
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我的是FSMC_A16接LCD的RS的，那个偏移量是不是0x0001FFFE，也就是((u32)(0x60000000 | 0x0001FFFE))啊？？

正点原子

是的

烧年

回复【7楼】正点原子:
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那我还要修改别的什么了吗？？

正点原子

回复【8楼】烧年:
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地址没改错,如果不能用,可能你初始化部分有问题了.

烧年

初始化部分，我把gpio口改成跟自己开发板对应的gpio口进行初始化，还有我板子使用的是FSMC_Bank1_NORSRAM1，也改了，我就觉的改这两部分就可以了，但不知道初始化部分还需改别的吗？？原子哥！！！

正点原子

这是我用BANK1的初始化代码:
//初始化lcd
//该初始化函数可以初始化各种ILI93XX液晶,但是其他函数是基于ILI9320的!!!
//在其他型号的驱动芯片上没有测试! 
void LCD_Init(void)
{ 
u16 i;
RCC->AHBENR|=1<<8;        //使能FSMC时钟   
   RCC->APB2ENR|=1<<3;      //使能PORTB时钟
RCC->APB2ENR|=1<<5;      //使能PORTD时钟
RCC->APB2ENR|=1<<6;      //使能PORTE时钟
  RCC->APB2ENR|=1<<8;       //使能PORTG时钟  
GPIOB->CRL&=0XFFFFFF0F; //PB1 推挽输出 背光
GPIOB->CRL|=0X00000030;    
//PORTD复用推挽输出 
GPIOD->CRH&=0X00FFF000;
GPIOD->CRH|=0XBB000BBB; 
GPIOD->CRL&=0X0F00FF00;
GPIOD->CRL|=0XB0BB00BB;     
//PORTE复用推挽输出 
GPIOE->CRH&=0X00000000;
GPIOE->CRH|=0XBBBBBBBB; 
GPIOE->CRL&=0X000FFFFF;
GPIOE->CRL|=0XBBB00000;      

//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[0],[1]。     
FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<4;  //存储器数据宽度为16bit      
//操作BTR寄存器
//读时序控制寄存器      
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0<<28; //模式A        
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=1<<0;  //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns    
//因为液晶驱动IC的读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0XF<<8;   //数据保存时间为16个HCLK    
//写时序控制寄存器  
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<28;  //模式A        
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<0; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 
  //4个HCLK（HCLK=72M）因为液晶驱动IC的写信号脉宽，最少也得50ns。72M/4=24M=55ns    
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=3<<8;  //数据保存时间为4个HCLK
//使能BANK1,区域4
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<0; //使能BANK1，区域1   
 
  delay_ms(50); // delay 50 ms 
  LCD_WriteReg(0x0000,0x0001);
delay_ms(50); // delay 50 ms 
   lcddev.id = LCD_ReadReg(0x0000);   

不过我的地址线用的是A21.
#define LCD_LED Bout(1) //LCD背光      B1      
//LCD地址结构体
typedef struct
{
u16 LCD_REG; 
u16 LCD_RAM;
} LCD_TypeDef;
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector1,地址位HADDR[27,26]=00 A21作为数据命令区分线 
//注意设置时STM32内部会右移一位对其!      
#define LCD_BASE        ((u32)(0x60000000 | 0x003FFFFE))
#define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)

snailliu123

回复【11楼】正点原子:
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我自己也开了一块板子，按照引脚修改了一下，还有就是改了下面这个LCD_BASE的值就好了
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector1,地址位HADDR[27,26]=00 A21作为数据命令区分线  
//注意设置时STM32内部会右移一位对其!        
#define LCD_BASE        ((u32)(0x60000000 | 0x003FFFFE)) 
#define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)

就是不太清楚这个LCD_BASE是怎么算出来的？？

正点原子

回复【12楼】snailliu123:
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论坛多找找,这个很多帖子有过讨论了.