flash 模拟eeprom

catbal

原子大哥，我现在在做flash 模拟eerom测试，做了一个简单的测试例子,可是不能成功写入数据，我找了很久（包括对照例程）都没有找到问题出在哪里，希望大哥能帮帮忙，指点指点，谢谢。我的测试例子代码如下：（使用的是FLASH大小为256K，keil4编程工具）
#include"stm32f10x.h"
#include "flash.h"
#include “LED.h”

#define FLASH_BASE_ADDR  0X08000000
#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000

/*程序所需的固件库文件已经加到工程中*/
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
 return *(vu16*)faddr;
}

void delay(void)
{
  u32=254;
  for(;i>65535;i--);
}
int main(void)
{
  u16 value;
 
 LED_INIT();//指示灯的初始化
  
 FLASH_Unlock();
 FLASH_ErasePage(FLASH_BASE_ADDR);
 value=STMFLASH_ReadHalfWord(FLASH_BASE_ADDR);
if(value==0)
{
  GPIO_SetBits(GPIOC,GPIO_Pin_9)；//指示灯亮
}
else
   {return 0;}
delay();
delay();
delay();
GPIO_ResetBits(GPIOC,GPIO_Pin_9)；//指示灯熄灭
FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_SAVE_ADDR ,0x06);
delay();
delay();
value=0;
value=STMFLASH_ReadHalfWord(FLASH_SAVE_ADDR );
if(value==6)
{
   GPIO_SetBits(GPIOC,GPIO_Pin_9)；//指示灯亮
}

FLASH_Lock();//上锁

 return 0；
}

liuje

"#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000"

不会吧...     16进制 "70000" = 458752(10进制)

458752/1024 = 448 K  ,   你将会从第448K的地方开始写入资料...

问题你说你用的FLASH大小才  256K ,   已经写到外太空去啦~~~~~

catbal

哦，那我改改。

catbal

原子大哥，我现在将这个保存地址写作"#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08020000，测试也不能够成功，我的测试代码其它地方有错误吗?

正点原子

其他貌似没问题,你直接用我们的例程试试吧.

catbal

我刚刚使用了例程了，现在可以使用了。对了，原子大哥我还有各问题需要请教你一下。使用模拟的eeprom存储变量，变量的声明是直接是声明为普通的变量(如:u32 value=12;)，还是有特定的格式。我这次要存储几百个这样的变量，比是一次性存储所有的变量，是在程序运行期间存储和读取各个变量。存储这些变量的地址，应该如何定义阿？是直接定义一个地址来存储，还是有其它的办法？

正点原子

回复【6楼】catbal:
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几百个,怎么会这么多?
定义成数组吧.然后直接将数组存起来,或者定义成结构体.最好了.

catbal

谢谢，我去试试。

catbal

你好，原子大哥。我今天测试了一下模拟的eeprom，使用结构体操作，没能成功。我想用正点原子的那个例程。大致思路是：为每一个变量指定写入的地址，但是在写每一个变量值之前，需擦除。我每次写入的后再写入新的数据的时候，先前的内容没有了，是擦除操作擦出了的。我可以怎么做可以避免把先前的写的内容擦除呢？希望大哥能够指点指点,谢谢。

正点原子

回复【9楼】catbal:
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你的flash模拟eeprom代码是用的我们的么?

北方的马克思

回复【6楼】catbal:
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请问哈你是怎么解决的？