对内部的flash编程，跨过一页的问题

nuncle.lee · 发表于 2013-7-8 10:24:36

写flash操作大于一页的数据，，怎么处理好点。。例子里面好像大于一页没有加处理。

有什么好的处理方式么？

nuncle.lee · 发表于 2013-7-8 10:47:05

额。。。原来原子的代码里面有判断是否超过一个扇区，，之前没仔细看代码。。。

现在弄好了。。板子的stmflash.C里面有个BUG，

正点原子 · 发表于 2013-7-8 11:59:26

回复【2楼】nuncle.lee:
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什么bug?
没bug吧...要不我的IAP也无法正常运行才对啊...

nuncle.lee · 发表于 2013-7-8 12:58:48

回复【3楼】正点原子:
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标准例程-V3.5库函数版本\实验34 FLASH模拟EEPROM实验\HARDWARE\STMFLASH
这个目录里面的，stmflash.C

在判断越过一个页后，写地址便偏移的计算。

代码里面是WriteAddr+=secremain; //写地址偏移

这里secremain是U16类型数据的个数。所以应该是
WriteAddr+=secremain*2；

正点原子 · 发表于 2013-7-8 16:04:07

这里没问题
你*2,估计就不能用过来.
你*2后,在IAP实验里面,测试下

nuncle.lee · 发表于 2013-7-8 16:14:22

回复【5楼】正点原子:
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IAP我还没用，
不过这里肯定是有问题的！

secremain变量用来指定u16的个数。
WriteAddr变量用来指定跨过一页后新的地址，这个新地址显然要是WriteAddr+=secremain*2; 否则根本没有跳到flash的下一页，而是还在本页，覆盖了之前的数据。

我已经单步调试确认了。看到flash中的数据一目了然

liuje · 发表于 2013-7-8 16:25:28

回报原子哥,  之前我用按您在Mini上的代码,  针对不同写入地址, 成功率都不同.
当你做大量写入的时候.  例如写入5-10K , 中间有的成功有得失败了..

也许跟这位楼主回报的有关联.    也麻烦再帮我们确认看看.    谢谢啊！！

nuncle.lee · 发表于 2013-7-8 16:38:03

回复【7楼】liuje:
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恩。。这个代码只要超过一页大小就会覆盖掉之前的数据了。。。就是X2的原因，你可以改了试试。

liuje · 发表于 2013-7-8 16:44:52

回复【8楼】nuncle.lee:

回复【7楼】liuje:
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恩。。这个代码只要超过一页大小就会覆盖掉之前的数据了。。。就是X2的原因，你可以改了试试。

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我之前碰到的情况比较特别,  同一段代码会认写入起始地址,  不同起始位址的写入成功率不相同 .
跟你找到的这个问题好像有些关联.   也许地址刚好处了一个页起始开头.   就会刚好没问题.
如果刚好写入地址一开始就要跨页,  好像就有些小问题.   具体要再试试.     也感谢提供方法 ...
大家也可再试试,   如果验证真有问题,  也算帮原子哥一点忙了~~

正点原子 · 发表于 2013-7-9 00:32:56

这个问题，我明天测试下。

nuncle.lee · 发表于 2013-8-21 14:58:24

回复【10楼】正点原子:
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新项目里面做了IAP，，通过CAN下载45K的APP，然后写flash。。。我用之前自己修改过的stmflash.C 可以成功的。。

建议你再确认下之前我说的flash的跨过一页的问题吧。

很感谢提供这么全的开发板例子。。。太实用了。。加快了我项目开发的进度。。哈哈