IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution,
Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：
l 高速。具有45ns/55ns访问速度。
l 低功耗。
l TTL电平兼容。
l 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
l 三态输出。
l 字节控制功能。支持高/低字节控制。
IS62WV51216的功能框图如图42.1.1所示：
图42.1.1 IS62WV51216功能框图
图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；IO0~15为数据线，总共16根数据线。CS2和CS1都是片选信号，不过CS2是高电平有效CS1是低电平有效；OE是输出使能信号（读信号）；WE为写使能信号；UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号；
战舰STM32开发板使用的是TSOP44封装的IS62WV51216芯片，该芯片直接接在STM32的FSMC上，IS62WV51216原理图如图42.1.2所示：
图42.1.2 IS62WV51216原理图
从原理图可以看出，IS62WV51216同STM32的连接关系：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
本章，我们使用FSMC的BANK1 区域3来控制IS62WV51216，关于FSMC的详细介绍，我们在第十八章已经介绍过，在第十八章，我们采用的是读写不同的时序来操作TFTLCD模块（因为TFTLCD模块读的速度比写的速度慢很多），但是在本章，因为IS62WV51216的读写时间基本一致，所以，我们设置读写相同的时序来访问FSMC。关于FSMC的详细介绍，请大家看第十八章和《STM32参考手册》。
IS62WV51216就介绍到这，最后，我们来看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。步骤如下：
1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。
要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。
2）设置FSMC BANK1 区域3的相关寄存器。
此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。本章我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。
3）使能BANK1区域3。
最后，只需要通过FSMC_BCR寄存器使能BANK1，区域3即可。
通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。
本章实验功能简介：开机后，显示提示信息，然后按下KEY1按键，即测试外部SRAM容量大小并显示在LCD上。按下WK_UP按键，即显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。
本实验用到的硬件资源有：
1） 指示灯DS0
2） KEY1和WK_UP按键
3） 串口
4） TFTLCD模块
5） IS62WV51216
这些我们都已经介绍过（IS62WV51216与STM32的各IO对应关系，请参考光盘原理图），接下来我们开始软件设计。
打开上一章的工程，首先在HARDWARE文件夹下新建一个SRAM的文件夹。然后新建sram.c和sram. h两个文件，将他们保存在SRAM文件夹下，并将这个文件夹加入头文件包含路径。
打开sram.c文件，输入如下代码：
#include "sram.h"
#include "usart.h"
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
//对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
#define Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000))
//初始化外部SRAM
void FSMC_SRAM_Init(void)
{
RCC->AHBENR|=1<<8;
//使能FSMC时钟
RCC->APB2ENR|=1<<5;
//使能PORTD时钟
RCC->APB2ENR|=1<<6;
//使能PORTE时钟
RCC->APB2ENR|=1<<7;
//使能PORTF时钟
RCC->APB2ENR|=1<<8;
//使能PORTG时钟
GPIOD->CRH&=0X00000000;
GPIOD->CRH|=0XBBBBBBBB;
//PORTD复用推挽输出
GPIOD->CRL&=0XFF00FF00;
GPIOD->CRL|=0X00BB00BB;
GPIOE->CRH&=0X00000000;
GPIOE->CRH|=0XBBBBBBBB;
//PORTE复用推挽输出
GPIOE->CRL&=0X0FFFFF00;
GPIOE->CRL|=0XB00000BB;
GPIOF->CRH&=0X0000FFFF;
GPIOF->CRH|=0XBBBB0000;
//PORTF复用推挽输出
GPIOF->CRL&=0XFF000000;
GPIOF->CRL|=0X00BBBBBB;
GPIOG->CRH&=0XFFFFF0FF;
GPIOG->CRH|=0X00000B00;
//PORTG复用推挽输出
PG10->NE3
GPIOG->CRL&=0XFF000000;
GPIOG->CRL|=0X00BBBBBB;
//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
FSMC_Bank1->BTCR[4]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[5]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[4]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式,模式A(读写共用一个时序寄存器)
//BTCR[偶数]:BCR寄存器;BTCR[奇数]:BTR寄存器
FSMC_Bank1->BTCR[4]|=1<<12;//存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[4]|=1<<4;
//存储器数据宽度为16bit
//操作BTR寄存器
FSMC_Bank1->BTCR[5]|=3<<8;
//数据保持时间（DATAST）为4个HCLK 4/72M=55ns
FSMC_Bank1->BTCR[5]|=0<<4;
//地址保持时间（ADDHLD）未用到
FSMC_Bank1->BTCR[5]|=0<<0;
//地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK
//闪存写时序寄存器
FSMC_Bank1E->BWTR[4]=0x0FFFFFFF;//默认值
//使能BANK1区域3
FSMC_Bank1->BTCR[4]|=1<<0;
}
//在指定地址(WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR)开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32
WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr++;
pBuffer++;
}
}
//在指定地址((WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR))开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32
ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr++;
}
}
此部分代码包含3个函数，FSMC_SRAM_Init函数用于初始化，包括FSMC相关IO口的初始化以及FSMC配置。另外，FSMC_SRAM_WriteBuffer和FSMC_SRAM_ReadBuffer这两个函数分别用于在外部SRAM的指定地址写入和读取指定长度的数据（以字节为单位）。这里需要注意的是：FSMC当位宽为16位的时候，HADDR右移一位同地址对其，但是ReadAddr我们这里却没有加2，而是加1，是因为我们这里用的数据为宽是8位，通过UB和LB来控制高低字节位，所以地址在这里是可以只加1的。另外，因为我们使用的是BANK1，区域3，所以外部SRAM的基址为：0x68000000。
保存sram.c文件，并加入到HARDWARE组下，然后打开sram.h，在该文件里面输入如下代码：
#ifndef __SRAM_H
#define
__SRAM_H
#include
<stm32f10x_map.h>
void FSMC_SRAM_Init(void);
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32
WriteAddr,u32 NumHalfwordToWrite);
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32
ReadAddr,u32 NumHalfwordToRead);
#endif
保存此部分代码。最后，打开test.c文件，修改代码如下：
u32 testsram[250000]
__attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组
//外部内存测试(最大支持1M字节内存测试)
void fsmc_sram_test(u16 x,u16 y)
{
u32 i=0;
u8 temp=0;
u8 sval=0; //在地址0读到的数据
LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"Ex Memory
Test: 0KB");
//每隔4K字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节
for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
{
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
temp++;
}
//依次读出之前写入的数据,进行校验
for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
{
FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
if(i==0)sval=temp;
else
if(temp<=sval)break;//后面读出的数据一定要比第一次读到的数据大.
LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*4,4,16,0);//显示内存容量
}
}
int main(void)
{
u8 key;
u8 i=0;
u32 ts=0;
Stm32_Clock_Init(9); //系统时钟设置
uart_init(72,9600);
/串口初始化为9600
delay_init(72);
//延时初始化
LED_Init();
//初始化与LED连接的硬件接口
LCD_Init();
//初始化LCD
usmart_dev.init(72);
//初始化USMART
KEY_Init();
//按键初始化
FSMC_SRAM_Init(); //初始化外部SRAM
POINT_COLOR=RED; //设置字体为红色
LCD_ShowString(60,50,200,16,16,"WarShip
STM32");
LCD_ShowString(60,70,200,16,16,"SRAM
TEST");
LCD_ShowString(60,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
LCD_ShowString(60,110,200,16,16,"2012/9/16");
LCD_ShowString(60,130,200,16,16,"KEY1:Test
Sram");
LCD_ShowString(60,150,200,16,16,"WK_UP:TEST
Data");
POINT_COLOR=BLUE;//设置字体为蓝色
for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;//预存测试数据
while(1)
{
key=KEY_Scan(0);//不支持连按
if(key==KEY_DOWN)fsmc_sram_test(60,170);//测试SRAM容量
else if(key==KEY_UP)//打印预存测试数据
{
for(ts=0;ts<250000;ts++)LCD_ShowxNum(60,190,testsram[ts],6,16,0);
//显示测试数据
}else delay_ms(10);
i++;
if(i==20)//DS0闪烁.
{
i=0;
LED0=!LED0;
}
}
}
此部分代码除了mian函数，还有一个fsmc_sram_test函数，该函数用于测试外部SRAM的容量大小，并显示其容量。main函数则比较简单，我们就不细说了。
此段代码，我们定义了一个超大数组testsram，我们指定该数组定义在外部sram起始地址（__attribute__((at(0X68000000)))），该数组用来测试外部SRAM数据的读写。注意该数组的定义方法，是我们推荐的使用外部SRAM的方法。如果想用MDK自动分配，那么需要用到分散加载还需要添加汇编的FSMC初始化代码，相对来说比较麻烦。而且外部SRAM访问速度又远不如内部SRAM，如果将一些需要快速访问的SRAM定义到了外部SRAM，将会严重拖慢程序运行速度。而如果以我们推荐的方式来分配外部SRAM，那么就可以控制SRAM的分配，可以针对性的选择放外部还是放内部，有利于提高程序运行速度，使用起来也比较方便。
在代码编译成功之后，我们通过下载代码到ALIENTEK战舰STM32开发板上，得到如图42.4.1所示界面：
图42.4.1 程序运行效果图
此时，我们按下KEY1，就可以在LCD上看到内存测试的画面，同样，按下WK_UP，就可以看到LCD显示存放在数组testsram里面的测试数据，如图42.4.2所示：
图42.4.2 外部SRAM测试界面
该实验我们还可以借助USMART来测试，只需要在usmart_nametab里面添加读写SRAM的两个函数，就可以用USMART来测试外部SRAM了。
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发表于 2013-4-2 22:57:46
发表于 2013-4-3 10:02:06
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