关于EEPROM循环使用的方法

rixwyg

各位大侠，高手们
     最近遇到一个问题，写了一个程序用EEPROM存放数据，
     数据量不大但是一天内可能写的次数在20次左右。为了尽量提高使用寿命
     我想使整片EEPROM循环使用起来，但那样搜索范围变的比原来大很多了
     所以想将EEPROM分成块来使用，还是没想出来分块后具体怎么使用
      最近一直没想到一个好的方法，所以想请教一下各位大侠是怎么处理的？
    

正点原子

用一个地址X(存放在eeprom)存储当前使用的EEPROM地址,每次上电,先读取X的值,然后读写都在X指向的地址操作,每次写完读一次,进行校验,如果校验正确,说明没写坏,如果不一致,说明本地址已经报废,写入下一个地址,并将新地址值写入X,如此,即可最大程度的使用EEPROM了...

shihantu

所谓的磨损算法,是要多用CPU的了.

最简单的方法,把需要存储的数据和一个标志位合并起来存储.

如果不会用结构体,就假设LZ需要存储一个int的数据,即4字节,然后增加1个字节,作为标志位,和int一起存储.假设组合体的第一个字节是非零标志位,后面4字节是目标数据int.

区块算法:假设1kbyte的空间,一共可以存储1024/5=204个组合体.

初始化:第一次读取或写入,先找到指向最新数据的指针,即从头开始查找*(n*5),找出第一个标志位是不是有效标志位的指针,然后后退一个组合体长度5,此时可以找到最新数据的指针.

写入算法:当前指针增加一个组合体长度5,在新的指针的位置按顺序写入非零标志位和int.然后把再往后5个字节擦除.注意容量限制.EEPROM擦除后数据不等于标志位,所以可以作为初始化的参考.

读取算法:读取当前指针对应的后4个字节获得int.

shihantu

回复【2楼】正点原子:
---------------------------------
这个方式有一个隐患,存储器失效并不是瞬时表现的,它本身表现为存储寿命的下降.

典型EEPROM的存储寿命是10yrs,擦除次数是100k,意思是厂家保证在100k次的擦写操作后,存储单元仍能保证有10yrs的存储寿命.

所以,通过1s内的存储寿命验证并不能确保数据的可靠性,网上有些所谓的"经过n*100*标称周期的擦写,仍能正确读出数据,所以这个这个参数可以放心过度使用"的"测评"本身是不全面的.

yangbo18416

正点原子 发表于 2013-3-10 00:16
用一个地址X(存放在eeprom)存储当前使用的EEPROM地址,每次上电,先读取X的值,然后读写都在X指向的地址操作, ...

万一存储地址的 块坏了怎么弄呢？还有怎么知道读出来的数据是可靠的？

半旧

正点原子 发表于 2013-3-10 00:16
用一个地址X(存放在eeprom)存储当前使用的EEPROM地址,每次上电,先读取X的值,然后读写都在X指向的地址操作, ...

大佬你好，请问这个地址X是怎么把EEPROM后面的所有地址都指向的呢...单片机小白的疑问

林光华ing

原子的方法挺好。
意思是设置地址区与数据区。比如地址区是首地址0，数据区是除了首地址所在扇区的其他扇区。地址区存储数据所在地址。每次存取数据之前，首先读地址区，查找（获取）数据所在位置。而如果想写数据，则需要先写后读，判断此数据是否还完好。如果不完好（此扇区坏了），就更改地址，同时要把地址记录在地址区。
此方法，一般来说，在地址扇区损坏之前，
数据扇区早已损坏完了。所以不必担心假如地址区坏的问题。。。（真担心那就把地址区扩大，也是写后读取，验证是否坏块。）
因为数据扇区损坏一次，地址扇区才会写一次。一个EEPROM能有多少个扇区？100K的擦除次数，代表100K个扇区，每个扇区4K，那是1.5GB了。那么大，基本都用TF卡了吧。