战舰V3PVD中断写flash问题（不使用BKP）

赤少君 · 发表于 2017-8-21 10:50:21

想实现在断电前写flash，但是读取出来的结果是乱码，看下有没有大佬看出是什么问题代码如下：
/***********************************
* 文件名：main.c
* 作者：Kyle
* 日期：20170818
* 描述：任务2测试
* 版本：1.0
* 版本信息：测试flash保存，测试断电状态
* 芯片类型：stm32f103ze
* 库版本：V3.5.0
***********************************/

#include "stm32f10x.h"
#include "usart.h"
#include "delay.h"
#include "stmflash.h"

//要写入到STM32 FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"2"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)  //数组长度
#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08011000  //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

void PWR_PVD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;

RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);//使能PWR时钟

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQn;          //使能PVD所在的外部中断通道
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;//抢占优先级1
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;    //子优先级0
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;       //使能外部中断通道
NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);

EXTI_StructInit(&EXTI_InitStructure);
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;          //PVD连接到中断线16上
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;    //使用中断模式
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising;  //电压低于阀值时产生中断
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;             //使能中断线
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);                      //初始

PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V8);//设定监控阀值
PWR_PVDCmd(ENABLE);//使能PVD
}

void PVD_IRQHandler(void)
{
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);//清中断
if(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO))
   {
   STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);
   }
}

int main(void)
{
//初始化
u8 datatemp[SIZE];
delay_init();            //延时函数初始化
  NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置中断优先级分组为组2：2位抢占优先级，2位响应优先级
uart_init(115200);      //串口初始化为115200
PWR_PVD_Init();

//STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);

//读flash数据
printf("\r\nstart\r\n");
while(1)
{
   //printf("\r\n读取信息：%d\r\n",BKP_ReadBackupRegister(BKP_DR9));
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);
printf("\r\n读取信息：%s\r\n",datatemp);
delay_ms(1000);
}

return 0;
}

赤少君 · 发表于 2017-8-21 10:50:22

ok了，执行代码如下
/***********************************
* 文件名：main.c
* 作者：Kyle
* 日期：20170818
* 描述：任务2测试
* 版本：1.0
* 版本信息：测试flash保存，测试断电状态
* 芯片类型：stm32f103rb
* 库版本：V3.5.0
***********************************/

#include "stm32f10x.h"
#include "usart.h"
#include "delay.h"
#include "stmflash.h"

//要写入到STM32 FLASH的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"cccc"};
#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度
#define FLASH_SAVE_ADDR  0x08001800 //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

//u16 num = 35;

volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/

void PWR_PVD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;

RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);//使能PWR时钟

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQn;          //使能PVD所在的外部中断通道
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;//抢占优先级1
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;    //子优先级0
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;       //使能外部中断通道
NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);

EXTI_StructInit(&EXTI_InitStructure);
EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;          //PVD连接到中断线16上
EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;    //使用中断模式
EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising;  //电压低于阀值时产生中断
EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;             //使能中断线
EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);                      //初始

PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9);//设定监控阀值
PWR_PVDCmd(ENABLE);//使能PVD
}

void PVD_IRQHandler(void)
{
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);//清中断
if(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO))
{
/*
//使能BKP并保存
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR | RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE);//使能PWR和BKP外设时钟
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);//使能后备寄存器访问
BKP_WriteBackupRegister(BKP_DR9,num);
*/

//写flash
//STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);
FLASH_Unlock();

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

STMFLASH_Write_NoCheck(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);

FLASH_Lock();
}
}

int main(void)
{
//初始化
u8 datatemp[SIZE];
delay_init();            //延时函数初始化
  NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置中断优先级分组为组2：2位抢占优先级，2位响应优先级
uart_init(115200);      //串口初始化为115200
PWR_PVD_Init();

//STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);

//读flash数据
printf("\r\nstart\r\n");
while(1)
{
   //printf("\r\n读取BKP信息：%d\r\n",BKP_ReadBackupRegister(BKP_DR9));
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);
printf("\r\n读取FLASH信息：%s\r\n",datatemp);

//擦除
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASHStatus = FLASH_ErasePage((uint32_t)0x08001800);
FLASH_Lock();

delay_ms(1000);
}

return 0;
}
运行结果如下：
[2017-08-21 05:04:22.262]
start[2017-08-21 05:04:22.280]
[2017-08-21 05:04:22.280]
读取FLASH信息：bbbb[2017-08-21 05:04:22.280]
[2017-08-21 05:04:31.262]
读取FLASH信息：??????????[2017-08-21 05:04:31.276]
[2017-08-21 05:04:40.140]
start[2017-08-21 05:04:40.169]
[2017-08-21 05:04:40.169]
读取FLASH信息：cccc[2017-08-21 05:04:40.169]
[2017-08-21 05:04:49.140]
读取FLASH信息：??????????[2017-08-21 05:04:49.155]