有关flash读写。

q247341184

看了原子哥flash模拟eeprom的例程和视频，有些疑问求解答
1、视频中提到一个半字的概念，半字是16位，字是32位，stm32芯片是半字半字读写，假设我只想在flash里写入一个数，那么这个数其实占了是16位还是32位？同时占了几个地址？
2、原子哥例程里的write函数，我看代码的意思明明是先检验flash中有没有，若有则复制到缓存中更新数据，擦除整页再写进去，那么假如我想写入一页数据，在不考虑寿命的情况下，我是不是可以连续调用例程中的write函数来达到写满一页的目的？
3、在例程中有三个参数，第一个是flash中的地址，第二个是个变量名，第三个在视频中说的是数据个数；
      那假设下面这个写入函数的参数为 STMFLASH_Write（a,（u16*）b,c）;的话，那这个调用的意思应该是将变量b的c个数据写入地址a中。这么理解对吗？


附上例程中写入模块的代码，求讲解。
[mw_shl_code=c,true]void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {       
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;          
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0          
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };       
        FLASH_Lock();//上锁
}[/mw_shl_code]

东方赤那

q247341184 发表于 2017-8-20 15:05
我问一下，写入一个变量和写入一个数组，有什么区别么？我试着修改原子哥的教程，但是不知道哪里出现的问 ...

要写入的变量必须最少是16位.     
例如 写一个变量是16位,    那么数据就是N个元素*16

东方赤那

2.3.3 主闪存编程
对主闪存编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时，在一个闪存地址写入
一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据， FPEC都会产生总线错误。在编程过程中
(BSY位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束

写FLASH  不能是8位  只能是16位  32位  64位   

你在网上下载一个文档 PM0042 STM32F10xxx闪存编程    看看你就明白了

东方赤那

多看手册

q247341184

东方赤那 发表于 2017-8-17 17:51
2.3.3 主闪存编程
对主闪存编程每次可以写入16位。当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时，在一个闪存地址写入
...

我问一下，写入一个变量和写入一个数组，有什么区别么？我试着修改原子哥的教程，但是不知道哪里出现的问题，无法写入变量，至少不是我想的那样。求解

东方赤那

东方赤那 发表于 2017-8-28 09:39
要写入的变量必须最少是16位.     
例如 写一个变量是16位,    那么数据就是N个元素*16

void STM32_Flash_Write(uint32_t addr,uint32_t*  BufFrom,  uint32_t Data)
{
        uint32_t  ERROR;
        uint8_t   i;
        uint32_t  ProgromAddr;
       
        FLASH_EraseInitTypeDef MIRAN_Erase;
               
        MIRAN_Erase.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;
        MIRAN_Erase.Banks=FLASH_BANK_1;
        MIRAN_Erase.PageAddress=addr;
        MIRAN_Erase.NbPages=1;
       
        if(Data>256)  //超过1K 字节  
        {
                return;       
        }
       
        HAL_FLASH_Unlock();       
        HAL_FLASHEx_Erase(&MIRAN_Erase, &ERROR);          //按页擦除
       
        for(i=0; i<Data; i++)
        {
                ProgromAddr=addr+i*4;
                HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,  ProgromAddr,  BufFrom);
        }
       
        HAL_FLASH_Lock();
}

东方赤那

东方赤那 发表于 2017-8-28 09:40
void STM32_Flash_Write(uint32_t addr,uint32_t*  BufFrom,  uint32_t Data)
{
        uint32_t  ERROR;

我这个是32位写一次   ,   多看手册