W25Q128 FLASH 擦写寿命问题

codedemo

大家好，我是新手多指教！ 最近在使用W25Q128 存储实时数据监控，每500mS上位机发来40个字节，要将这40个字节存入该FLASH中，每次存储都要从FLASH的起始地址检测该块是不是空的，若非空则写入数据。
问题：1   FLASH的擦写次数为大于10万次,这10万次，指的是每个块的的擦写次数，还是不管哪个块整个FLASH擦写总和 为10万次？
          2 如果超过10次后，是写不进数据还是芯片损坏，还是保存时间缩短？
目前本人是认为，该10万次指的是每个块的擦写寿命。
   在MCU中 申请一个2K的SRAM 当SRAM被写满时2048个字节，将SRAM的数据再存入FLASH中，大约每分钟擦写2次，每天记录18小时就是擦写2160次。(80个字节/秒  一天需要记录18个小时总共约 5184000个字节，FLASH 总共存储16777216个字节)。
      16777216/5184000>3  因此本人将FLASH 分为3个部分  每天使用FLASH 的 1/3.   这样做合理吗？  
FLASH 的擦写次数指的是每个块的擦写次数 ？ 还是不管哪个块  总共擦写次数10万次？

aozima

单个块的擦除次数。

优化：
1. 大RAM缓冲。如果数据重要可以大电容或电池，掉电检测并保存。或加小铁电来缓冲。
2. 尽量使用循环写的方式，即擦除后，一次数据比较小，可以写N次。写满一块，再继续用下一块。用完后再从头来。

lc881214

帮顶，，，，，

498959881

二楼正解