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发表于 2017-4-24 16:06:26
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CPU
MCU
RAM
ROM
FLASH
EEPOR
寄存器
哈佛结构和冯诺依曼结构的区别
iar编译之后，会出现代码和数据size，通常情况下包含三项：
1、 46 689 bytes of readonly code memory
代码空间，占用flash容量
2、 5 336 bytes of readonly data memory
只读数据空间，占用flash容量
3、 14 376 bytes of readwrite data memory
变量空间，占用ram
Flash = readonly code memory + readonly data memory
RAM = readonly data memory + readwrite data memory
在IAR中，如果是个全局常量，只想把它存在Flash中而不占用RAM的话，可将其声明为const；如果是个局部常量的话需要声明为static const
CPU:
.中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，
是一台计算机的运算核心（Core）和
控制核心（ Control Unit）。
它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。
.中央处理器主要包括运算器（算术逻辑运算单元，ALU，Arithmetic Logic Unit）
和高速缓冲存储器（Cache）及实现它们之间联系的数据（Data）、
控制及状态的总线（Bus）。
它与内部存储器（Memory）和输入/输出（I/O）设备合称为电子计算机三大核心部件。
MCU:
.MCU就是我们日常生活中所用的单片机(微控制单元Microcontroller Unit)简称MCU。
它集成了内处理器(CPU)、存储器(RAM、ROM)、计数器、以及I/O端口为一体的一块集成芯片。
在此硬件电路基础上，将要处理的数据、计算方法、步骤、操作命令编制成程序，存放于MCU内部或外部存储器中，
MCU在运行时能自动地、连续地从存储器中取出并执行。
RAM、ROM:
.RAM-RamdomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。
.ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。
存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。
ROM和RAM是计算机内存储器的两种型号，ROM表示的是只读存储器，即：它只能读出信息，不能写入信息，
计算机关闭电源后其内的信息仍旧保存，一般用它存储固定的系统软件和字库等。
RAM表示的是读写存储器，可其中的任一存储单元进行读或写操作，计算机关闭电源后其内的信息将不在保存，
再次开机需要重新装入，通常用来存放操作系统，各种正在运行的软件、输入和输出数据、中间结果及与外存交换信息等，
我们常说的内存主要是指RAM。
c语言中，说的分配的内存是指RAM。
ROM的内容是“只读”的，在电脑运行期间，是不可以往其中存入信息的（指在程序运行时到程序执行分配空间（RAM））。
FLASH、EEPROM：
.单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无
法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等
存储器来实现。在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通
过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花
更多的心思。在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用IAP 技术读写内部FLASH 来
实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
flash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.
.一般来说 单片机里的flash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；
EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变。
FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，
FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，
EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，
所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，
早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，
操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，
甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义，属EEPROM无疑，
首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的多数Flash手册上也是这么标明的，
二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者，主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和传统EEPROM截然不同，
次要的原因是为了语言的简练，非正式文件和口语中Flash EEPROM就简称为Flash
，这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别Flash和传统EEPROM。
Flash的特点是结构简单，同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量
下的操作速度更快，但缺点是操作过程麻烦，特别是在小数据量反复重写时，所以在MCU中Flash结构适于不需频繁改写的程序存储器。
很多应用中，需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失，传统结构的EEPROM在此非常适合，
所以很多MCU内部设计了两种EEPROM结构，FLASH的和传统的以期获得成本和功能的均衡，这极大的方便了使用者。
随着ISP、IAP的流行，特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间重叠的MCU系中，
现在越来越多的MCU生产商用支持IAP的程序存储器来模拟EEPROM对应的数据存储器，
这是低成本下实现非易失数据存储器的一种变通方法。为在商业宣传上取得和双EEPROM工艺的“等效”性，
不少采用Flash程序存储器“模拟”（注意，技术概念上并非真正的模拟）EEPROM数据存储器的厂家纷纷宣称其产品是带EEPROM的，
严格说，这是非常不严谨的，但商人有商人的目的和方法，用Flash“模拟”EEPROM可以获取更大商业利益，
所以在事实上，技术概念混淆的始作俑者正是他们。
从成本上讲，用Flash“模拟”EEPROM是合算的，反之不会有人干，用EEPROM模拟Flash是怎么回事呢？
这可能出在某些程序存储空间和数据存储空间连续的MCU上。
这类MCU中特别是存储容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作为非易失存储器，
这在成本上反而比采用Flash和传统EEPROM双工艺的设计更低，但这种现象仅仅限于小容量前提下。
因Flash工艺的流行，现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为Flash，
对于那些仅采用传统EEPROM工艺的MCU而言，他们不求甚解，故而错误的将EEPROM程序存储器称为“ 模拟Flash”，
根本的原因是他们未理解Flash只是一种存储器结构而非存储器的用途，错误的前提自然导致错误的结论。
商业上讲，用EEPROM模拟 Flash是不会有人真去做的愚蠢行为，这违背商业追求最大利益的原则，
技术上也不可行，而对于技术人员而言。本质的问题是Flash是一种存储器类型而非MCU中的程序存储器，
即使MCU的程序存储器用的是Flash，但其逆命题不成立。
寄存器：
自己刚刚总结的 |
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发表于 2017-4-24 13:59:50
