大侠们帮我看一下这个H桥电路是否有问题

liushiming82 · 发表于 2017-1-4 16:18:40

大俠们：您们好，因为我第一次用MOS管设计H桥电路，不知道是否有问题，请大侠们指导，谢谢。其中MOS1和MOS2为P管，其中MOS3和MOS4为N管。

xujian468 · 发表于 2017-1-4 16:18:41

本帖最后由 xujian468 于 2017-1-5 17:54 编辑

我使用过MOS 管用光耦来驱动或者IR2104芯片来驱动的，效果都还不错，都是量产过的,我电路里电机电流小用的是5819二极管,你可以修改一下，插件的么使用 IN5822,贴片的么使用SS54什么的

密耳 · 发表于 2017-1-4 18:03:40

貌似没问题，这是要做电机正反转？？上电试试呗，别同时导通就行，不行死区电压时间长点。。。。。。。。

jinggx · 发表于 2017-1-4 21:13:22

如果真如你图上标注的，有3a的电流，那你这个电路就不行。

保夫鲁沙 · 发表于 2017-1-4 21:25:48

电路能用。估计功耗也大，上升沿时间长。推挽驱动会好点。

liushiming82 · 发表于 2017-1-5 08:46:19

jinggx 发表于 2017-1-4 21:13
如果真如你图上标注的，有3a的电流，那你这个电路就不行。

那3A的电流用什么样子电路呀

f1174562 · 发表于 2017-1-5 09:11:35

导通时MOS功耗I*I*Ron，MOS1、2功耗约1W，得加散热片，否则会很烫。另外频率不能太高，否则会更烫，推荐你MOS1、2用IRF4905，55V0.02Ω，MOS3、4用IRF3205，55V0.008Ω，频率低的话可以不加散热片。

xujian468 · 发表于 2017-1-5 10:02:16

PWM_A和PWM_B都是低电平的时候进入死区了，你能保证你的芯片在上电复位瞬间等任何状态PWM_A和PWM_B都不会处于低电平状态?不能保证你的MOS管就全烧了

liushiming82 · 发表于 2017-1-5 10:20:53

xujian468 发表于 2017-1-5 10:03
我使用过MOS 管用光耦来驱动或者IR2104芯片来驱动的，效果都还不错，都是量产过的,

相关电路可以发出来，参考一下吗？谢谢

xujian468 · 发表于 2017-1-5 18:00:40

liushiming82 发表于 2017-1-5 10:20
相关电路可以发出来，参考一下吗？谢谢

用分力元件要特小心，一不小心就进入死区了，MOS管就烧了，

落尘浅羽 · 发表于 2017-1-6 01:58:19

Mylittledonkey · 发表于 2017-1-7 02:00:59

上管这样驱动不了

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