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关于OLED实验中OLED_GRAM定义的理解

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发表于 2016-9-25 20:35:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 学习stm32f4 于 2016-9-26 09:52 编辑

在学习OLED显示实验时,被一个问题一直困扰着,就是OLED_GRAM的定义。今天画了一个图,明白过来了,贴出来希望对初学者有帮助。
如图片1所示,这是OLED显存存放格式。
图片2是例程中定义的OLED_GRAM[128][8]。

图片3是原例程中OLED_Refresh_Gram()函数,以i=0为例:

step1:  执行OLED_WR_Byte (0xb0+0,OLED_CMD);
           即设置OLED显存页指针指向第0页。

step2:  执行OLED_WR_Byte (0x00,OLED_CMD);
                 OLED_WR_Byte (0x10,OLED_CMD);
           即设置OLED显存列指针指向第0列。

step3:  执行for(n=0;n<128;n++)
                      OLED_WR_Byte(OLED_GRAM[n][0],OLED_DATA);
           当n=0时,将OLED_GRAM[0][0]写入OLED显存的0页0列;然后,OLED显存列指针加1,即指向02列;
           当n=1时,将OLED_GRAM[1][0]写入OLED显存的0页1列;然后,OLED显存列指针加1,即指向03列;
           ...
           一直到n=127,将OLED_GRAM[127][0]写入OLED显存的0页127列;然后,OLED显存列指针返回,即指向第0列;
这样,就将OLED_GRAM的第0列写入到OLED显存的第0页里了。

这里,有一个问题需要注意,SSD1306的哪个指令指定了页指针、列指针的行走方式呢?个人估计应该存在于图片4当中,在SSD1306的芯片手册中缺乏详细的指令例子说明,对SSD1306指令比较熟悉的大神可以讨论一下。

总结:1.理解OLED_GRAM的定义,需要仔细阅读OLED_Refresh_Gram()函数的执行过程;
         2.要理解OLED_Refresh_Gram()的执行过程,需要理解页指针、列指针的行走方式,这需要仔细阅读SSD1306的芯片手册。
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发表于 2016-9-28 09:32:40 | 显示全部楼层
楼主请看这个图,就比较好理解了,在程序中有个语句:OLED_WR_Byte(0xC0,OLED_CMD);//重定义模式COM[N-1]->COM0


1.jpg

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发表于 2016-10-19 16:44:40 | 显示全部楼层
请问你说的“OLED显存列指针加1,即指向0页2列”,这个OLED显存列是怎么加1的,我看程序里只用了个0X00和0x10,这两个命令只是针对第0列的啊,一直在困扰中,求解答
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发表于 2016-9-26 08:42:43 | 显示全部楼层

好!

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 楼主| 发表于 2016-9-28 10:25:48 | 显示全部楼层
summy0633 发表于 2016-9-28 09:32
楼主请看这个图,就比较好理解了,在程序中有个语句:OLED_WR_Byte(0xC0,OLED_CMD);//重定义模式COM[N-1]-> ...

您好,http://openedv.com/thread-84722-1-1.html
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 楼主| 发表于 2016-10-20 09:50:00 | 显示全部楼层
EVERGREEN 发表于 2016-10-19 16:44
请问你说的“OLED显存列指针加1,即指向0页2列”,这个OLED显存列是怎么加1的,我看程序里只用了个0X00和0x ...

应该是设计芯片时,设置的自动递增,这样开发人员就不用再写额外的语句使地址指针加1了,这样有助于提高读写速度。具体请读一下SSD1306B的手册。
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发表于 2018-12-23 19:25:21 | 显示全部楼层
好帖啊!
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发表于 2019-7-19 15:41:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 xiaoqiang000 于 2019-7-19 16:03 编辑

请看:https://wenku.baidu.com/view/10b ... 37f111f1850d88.html   列地址指针自动加一

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0X20设置内存地址方式
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发表于 2020-6-17 09:06:04 | 显示全部楼层
为什么网上有些例程是OLED_GRAM[144][8]
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