有关于nor flash nand flash ,请大家指教。

czs

       背景：做数字广播接收机，可以接受图片，文字,声音等。。现在已经将功能实现，但是原来的方式是 IO模拟方式传输数据，flash也是串行flash，速度不行,容量也不够。
所以现在想：
                     1，用STM32的fsmc方式代替IO模拟方式读写数据，提高读写速度
                    
                     2，选择容量更大的flash,nor或者nand。(因为只要4M*8bits，所以容量两者都够。)

                    对于1的问题是：由于，我们还想用fsmc方式实现给LCD送数据，得用到一根地址线（如：A16）.但是对flash进行fsmc方式访问时，得用到A0-A24.我该怎么
处理地址线的问题？


                   对于2的问题：针对我说的这种情况，我该选择哪种flash?


    谢谢大家！

正点原子

可以共享的。
FLASH 用NAND。如想速度快，用SRAM吧。

24432972

如果想让接口简单点，就选nor flash
不过你要求容量大，那就只能选择nandflash速度也能提高一点点
至于sram就算了，虽然速度快但成本大，容量小估计也不符合条件

czs

       请问你们有关于这方面的例程吗？网上很多地方说的不是很靠谱。。

cjqhyy

关于Nor和Nand的介绍和区别，在网络上有很多，如果不是经常用的话，还真的无法说出个所以然来。我也是转帖网络上的，目的是经常能看看。

         NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 

一.存储区别比较
　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, execute In lace)，这样应用程序可以接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

二.性能比较

　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

    由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

    执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。

    ● NAND的写入速度比NOR快很多。

　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

    ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

    ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

三.接口差别

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

四.容量和成本

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

五.可靠性和耐用性

采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

六.寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

七.位交换问题

　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

　　一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。

　　当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。　　

八.坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。 易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

九.软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗。

czs

回复【2楼】正点原子:
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             还想问下，用NORflash的话，比串行flash的读写速度要快的多嘛？因为如果快的很多的话，我就可以达到提高速度的目的。
不要用nandflash了，因为nandflash使用貌似较复杂，要处理”坏页“等问题？
        麻烦大家对我的理解做下指教。

正点原子

NORFLASH没玩过哦。
你要多大的空间？
多快的速度？
然后才能对照着去找方案。

simms01

SRAM  4M*8bit        bs62lv4006       10元/片

czs

回复【8楼】simms01:
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10元就可以吗？这么便宜？呵呵。。在我印象中式很贵才是。。

czs

回复【7楼】正点原子:
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   容量 4M*8bit 就可以
  速度，要求不是很快，这几种比模拟串行flash的方式都快很多吧？ 
  还有就是可以使用IO模拟的方式实现才好，因为我们想用100脚的STM32f103vd. (这一条可以吗？可以不用fsmc吗？)

czs

回复【8楼】simms01:
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            我看下，如果这是这样的话，我肯定使用SRAM了。。

正点原子

回复【10楼】czs:
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4M字节很大了。
你说的不是很快，到底是多快？具体的数值有没有？

czs

回复【12楼】正点原子:
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         没有具体的数值，您就帮我大概比较下spiflash  norflash  nandflash  的速度吧？  还有就是使用的难易程度。。

czs

回复【12楼】正点原子:
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               其实 我只是想用nor或者nandflash来解决使用spiflash读写速度慢的问题，具体提高多少，不是很所谓。

simms01

一个方法  用BSI 62LV4006 在电源那里加2个二极管 1个电池  就可以了 速度绝对比flash快多了 还可以单个字节读写 还可以存参数 （掉电数据不会掉） 实测 这个电池可以撑1年半-2年