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模拟IIC读写EEPROM问题请教

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发表于 2016-6-17 16:14:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
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修改原子哥的24C02驱动程序,EEPROM使用的是24LC512,对应程序修改了#define AT24C512 65535 和#define EE_TYPE AT24C512,以及check函数里面写入的65535。读写正常。现在对120个字节的数据进行30次连续的读写操作,耗时时间过长。哪位遇到过此类问题,请赐教。

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EEPROM速度本来就慢啊。。。每写1个字节要等10ms,120个字节写30次,那就是1.2秒*30=36秒钟。。。。
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发表于 2016-6-17 16:14:26 | 显示全部楼层
EEPROM速度本来就慢啊。。。每写1个字节要等10ms,120个字节写30次,那就是1.2秒*30=36秒钟。。。。
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 楼主| 发表于 2016-6-20 09:19:06 | 显示全部楼层
正点原子 发表于 2016-6-17 16:14
EEPROM速度本来就慢啊。。。每写1个字节要等10ms,120个字节写30次,那就是1.2秒*30=36秒钟。。。。

现在使用了页读写,快多了
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