stm32F103C8芯片，用FLASH模拟EEPROM，擦写最后2KFLASH，但现在每次重新上电后都无显示

zyp96 · 发表于 2016-4-21 19:44:50

stm32F103C8芯片，用FLASH模拟EEPROM，擦写最后2KFLASH，但现在每次重新上电后都无显示，我想是自己把程序段也给擦除了吧；但一直不知道怎么解决；
我的要求是定义STM32F103C8的最后2KFLASH来做EEPROM，放置数据，由于103C8只有64K的flash，所以地址为定义为：#define EEROM_BASR_ADDR  0x0800f400；这个不知道我计算是不是正确，然后#define PageSize  0x400，因为这个芯片每页是1K的容量，而我需要2K，所以要擦2页，那我利用函数的方式来写，函数如下：
int WriteEEPROMData(unsigned int StartAddr,unsigned int *p_data, unsigned int size)
{
int count = 0;
unsigned int* p = (unsigned int*)p_data;
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASH_ErasePage(EEROM_BASR_ADDR);
FLASH_ErasePage(EEROM_BASR_ADDR + PageSize);
while (count < size*sizeof(unsigned int))
{
      FLASH_ProgramWord((EEROM_BASR_ADDR+count*4),*p++);
      count++;
}
  FLASH_Lock();
  return 0;
}
以上是我的写FLASH的函数，现在我主要集中的问题是：STM32 的FLASH是16bit的，而我要存的数据是U8 类型的，我要把2048byte的U8 数据给存到EEPROM里面去，不知道这里该怎么处理，FLASH是16位，我想把高8位直接就附值0，低8位写我需要的数据就好了，但看原子教程里面又说这个FLASH不允许写单数的FLASH地址，我无法明白这个是啥意思？FLASH里面不允许一个地址一个地址的写吗？我上面的数据我也不知道该怎么处理了，能有高手指点我一下吗？