关于STM32F103C8T6的flash模拟eeprom问题

yaoay · 发表于 2016-3-30 11:32:18

用flash模拟EEPROM写入数据必须要每个写16位半字吗？那要写一个字节要怎么弄？

正点原子 · 发表于 2016-3-30 11:32:19

当成16位写进去，高八位作废。

正点原子 · 发表于 2016-4-1 23:01:00

当成16位写进去，高八位作废。

DongInker · 发表于 2016-4-2 14:58:44

我是在内存开辟缓存，一般可以开辟一个扇区的空间，先把数据写到内存，全部修改完成，再擦除FLASH，将内存数据搬运到FLASH

fanghuiopenedv · 发表于 2016-4-8 11:52:06

黄伟达 · 发表于 2016-6-7 09:06:04

正点原子发表于 2016-3-30 11:32
当成16位写进去，高八位作废。

原子哥，
我想问一下，这个flash擦写的次数会是多少次？我的数据时一个小时就要存一次的，按照这样的话，一个月下来就要擦写720次了，一年都快要过万了，会不会把flash给擦写报废了

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