关于FLASH操作时超出芯片地址的一点疑惑。

wfy9041

本人和同学合作做了一个项目，硬件电路是我设计的，用的芯片是STM32F103RCT6这个256K FLASH  48K RAM的这个芯片。
keil工程中我把硬件初始化部份弄好了，就把它丢给我同学，让他参照开发板带的例程去写应用层的业务逻辑了。

其中有一部分是要在flash中存储一段数据。
#define FLASH_SYS_DYEING 0x8070020
#define FLASH_SYS_DYEING1 (FLASH_SYS_DYEING+0) //F_:~0x80700B8-1~(30步*4字节=120字节)
#define FLASH_SYS_DYEING2 (FLASH_SYS_DYEING1+120) //F_:~0x8070130-1~(30步*4字节=120字节)
#define FLASH_SYS_DISTANCE (FLASH_SYS_DYEING2+120) //F_:40个字节
这是他写的一个数据存储的一个基地址。

之前一直没有发现，机器一直在跑，而且数据读取写入还都没有问题。

我现在就郁闷了，他的数据是写到那里去了。256K的FLASH空间不是0x8000000到0x40000么，他上面操作的那个地址明显是超过了STM32F103RCT6这个芯片FLASH的存储空间。

龙之谷

1.芯片是大容量芯片，但出厂只测试了256K，这个看到坛友说过
2.超出容量后写入循环了，可以将地址转换到256K对应地址读取，看是不是写入的值

jermy_z

简直666，如果芯片真的是256k的话，这地址确实不合理        楼主可以单独测试一下这个地址读写，断电测试试试

wfy9041

jermy_z 发表于 2016-3-29 10:03
简直666，如果芯片真的是256k的话，这地址确实不合理        楼主可以单独测试一下这个地址读写，断电测试 ...

断电，重新开数据也在。也可以读取出来。

jermy_z

wfy9041 发表于 2016-3-29 10:10
断电，重新开数据也在。也可以读取出来。

那就搞不懂了。。。有外部nand flash？

wfy9041

jermy_z 发表于 2016-3-29 10:11
那就搞不动了。。。有外部nand flash？

没有啊，PCB是我画的，没有外部的存储。连EEROM都没有。

wfy9041

龙之谷 发表于 2016-3-29 11:07
1.芯片是大容量芯片，但出厂只测试了256K，这个看到坛友说过
2.超出容量后写入循环了，可以将地址转换到25 ...

我去看看。谢谢

chijt

一旦超过最大地址就循环写到前面真实物理地址了