求解惑，Flash模拟EEPROM的程序

挣点圆子

今天在用原子哥的程序调FLASH模拟eeprom
我先将扇区的有用数据读出来，保存在临时数组里，
然后修改这个临时数组的内容，再将它写入flash。写入是调用原子哥的函数，应该是擦除了扇区，再写进去的
整个读写过程竟然花了2秒钟（读写完显示标志在TFT上），感觉好慢啊。
另外，在这个读写过程中，我的串口中断接收到的数据竟然解析不到。
请问，是否在处理FLASH的过程中会关中断？

另外，请问，如何设置 将主程序存储在后面的128K扇区。将数据存储在16K的扇区。启动时从128K的扇区开始执行程序

Theone

1.你如果把数据保存在靠后的扇区，那个擦除时间可能会比较长，因为后边的扇区都是128k的。
2.如果想从后128K启动程序，那你需要一个bootloader，直接让程序跳转到128K的位置就可以了。参考一下IAP升级程序。

FantaSy_

是代码移植到自己的板子上吗？？

挣点圆子

回复【2楼】FantaSy_:
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是啊。我听说FLASH的擦除是整个扇区。所以，每次要写之前就将扇区里的有用数据COPY出来，改好后再整个写进去。不知道有没有问题

hkys_lxh

回复【3楼】挣点圆子:
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擦除会关掉一些时钟，擦除一页需要几十ms的

正点原子

2分钟肯定不正常。查代码，

挣点圆子

回复【6楼】正点原子:
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不是两分钟，是两秒钟。我换了外部FLASH,一个扇区4KB。速度快多了。