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FSMC控制5V片外SRAM时,IO口该如何配置

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发表于 2015-9-14 19:27:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
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最近用STM32读写5V电源的片外SRAM,使能端口和数据地址总线上拉到+5V,配制成开漏输出(Out_OD)模式,使用FSMC_SRAM_WriteBuffer和ReadBuffer进行自写自读操作,不管写进去的是什么,读出来的都是FF。请问是哪里出了问题啊?求指教!

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回复【5楼】zenithlong: --------------------------------- 肯定是复用。
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发表于 2015-9-14 19:27:19 | 显示全部楼层
回复【5楼】zenithlong:
---------------------------------

肯定是复用。
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发表于 2015-9-14 23:06:58 | 显示全部楼层
第一步,要保证片选、读、写等几个关键信号正常,可以用示波器来测。

其次再看地址线是否正常。
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发表于 2015-9-14 23:32:48 | 显示全部楼层
怎么搞了个5V的SRAM。。。。
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
正点原子STM32开发板购买店铺http://openedv.taobao.com
正点原子官方微信公众平台,点击这里关注“正点原子”
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 楼主| 发表于 2015-9-15 11:06:31 | 显示全部楼层
回复【2楼】xuande:
---------------------------------
嗯嗯,接下来就测一下这个。
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 楼主| 发表于 2015-9-15 11:10:10 | 显示全部楼层
回复【3楼】正点原子:
---------------------------------
是用双口RAM和其他芯片交换数据,然后另外一端只能是5V。请问原子老大,FSMC是算通用GPIO功能还是复用功能,驱动5VSRAM的话端口配置成开漏输出(Out_OD)外接上拉是对的吗?
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 楼主| 发表于 2015-9-15 16:13:35 | 显示全部楼层
回复【6楼】xuande:
---------------------------------
哦哦,那端口是不是应该配置成复用开漏输出模式啊
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发表于 2015-9-15 16:37:48 | 显示全部楼层
地址线、控制线是单向输出,配置成开漏应当没问题;

但数据线是双向,似乎不必;但是要考察芯片之间的电平匹配。
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 楼主| 发表于 2015-9-16 16:42:07 | 显示全部楼层
回复【8楼】xuande:
---------------------------------
嗯嗯,如果不是开漏的话,STM32无法输出5V电压,5V的SRAM估计不能识别3.3V的高电平吧。。。
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发表于 2015-9-16 17:39:30 | 显示全部楼层
回复【9楼】zenithlong:
---------------------------------

未必,要看芯片手册。
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 楼主| 发表于 2015-9-17 00:35:15 | 显示全部楼层
回复【10楼】xuande:
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嗯嗯,多谢了!
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