访问外部SRAM

wwzhou · 发表于 2015-8-28 11:50:52

网上看的资料，感觉有些地方不是很理解，特地求证一下,内容如下：

当访问字节数据时：*((u8*)(BANK1_SRAM_BASE+offset))。1.读取SRAM数据时，将offset设为0x00，用示波器测试SRAM的A0地址信号是低，当offset为0x01时，用示波器测试SRAM的A0地址信号也是低，当offset为0x02和0x03时SRAM的A0地址信号是高，这说明当字节访问时地址确实是偏移了1位，原因是SRAM是16位器件(SRAM的1个地址存储16位数据)，一次可以访问2个字节的数据，这个时候FSMC将根据offset值判断，访问的是高8位还是低8位，即如果offset的最低位是0则访问的是16位数据的低8位，如果offset的最低位是1则访问的是16位数据的高8位。2. 向SRAM写数据时，道理也是一样的，只是写的时候通过BL[1:0]两个管脚控制写高字节还是低字节。

当访问半字数据时：*((u16*)(BANK1_SRAM_BASE+offset))。1.读取SRAM数据时，这个时候要注意了，FSMC在访问的时候要看offset的值是不是半字对齐的。如果offset是0x00，则直接访问的是SRAM的0x00地址处的16位数据，当offset是0x01时，FSMC是分两次访问的，第一次是访问SRAM的0x00地址的高字节，第二次是访问SRAM的0x01地址处的低字节(SRAM的1个地址存储16位数据)，通过用示波器测量SRAM的A0地址信号得到，信号是先低在高的一个脉冲，验证了前面的说法。2. 向SRAM写数据时，道理也是一样的，只是写的时候通过BL[1:0]两个管脚控制写高字节还是低字节。

问题：第一段说的可以理解，第二段不是很理解，外部SRAM一个地址对应一个16位数，地址加1指向下一个16位数，偏移量应该也是16，*((u16*)(BANK1_SRAM_BASE+offset))也是一个地址对应一个16位数，offset从0到1时偏移量应该是16还是8？内部地址和外部SRAM地址是不是不对应？