已被外部sram搞晕

763504843@qq.co · 发表于 2015-5-22 22:43:14

对于那个往外部sram写数据函数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr++;
pBuffer++;
}
}
对于红色标记那一句不是很懂。在8位的情况下，STM32地址+1我应该算懂。但是结合下面这个代码，就有点晕了
for(i=0;i<1024*8;i+=1024) //原子哥代码原来是for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)，就是隔4KB放一个，我为了说明就改了下
{
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
temp++;
}
假设n一直为1，上面那个for(;n!=0;n--) 和for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) 这两个循环一对比，假设外部sram地址从0开始，
我按照程序执行下去，假设隔1KB放一个数据，假设有个8位a[8]数组，依次放到外部sram的地址空间。如下图

那这样放数据就不是隔1KB，而是隔了1KB+1个地址了。
是不是我理解错了？

正点原子 · 发表于 2015-5-22 23:28:04

n一直未1，那就循环都无法跳出来了。。。

[mw_shl_code=c,true]u8 system_exsram_test(u16 x,u16 y,u8 fsize) { u32 i=0; u16 temp=0; u16 sval=0; //在地址0读到的数据 LCD_ShowString(x,y,lcddev.width,y+fsize,fsize,"Ex Memory Test: 0KB"); //每隔1K字节,写入一个数据,总共写入1024个数据,刚好是1M字节 for(i=0;i<1024*1024;i+=1024) { FSMC_SRAM_WriteBuffer((u8*)&temp,i,2); temp++; } //依次读出之前写入的数据,进行校验 for(i=0;i<1024*1024;i+=1024) { FSMC_SRAM_ReadBuffer((u8*)&temp,i,2); if(i==0)sval=temp; else if(temp<=sval)break;//后面读出的数据一定要比第一次读到的数据大. LCD_ShowxNum(x+15*(fsize/2),y,(u16)(temp-sval+1),4,fsize,0);//显示内存容量 }[/mw_shl_code]

我们例程代码是这样的。。。