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由于目前的情况,只能选择NAND Flash但是我只想要一直的某些位,不是整块整块的使用。
我以前用NOR Flash的地址是0x60000150,现在用到NAND Flash中,希望得到的地址还是0x70000150,这个偏移量0x150保持不变。
但是NAND Flash的地址格式是:
typedef struct
{
u16 Zone;
u16 Block;
u16 Page;
} NAND_ADDRESS;
也只能对NAND_ADDRESS结构体的地址进行数据读写,官网程序中有给这样一个计算公式:、
#define ROW_ADDRESS (Address.Page + (Address.Block + (Address.Zone * NAND_ZONE_SIZE)) * NAND_BLOCK_SIZE)
是不是按这来计算?
不是的话,应该怎么计算?
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