关于FSMC扩展SRAM数据读写错误

huangtao3000 · 发表于 2014-6-19 21:41:52

MCU为144脚的STM32F101ZCT6，SRAM芯片为IS61LV51216，通过DATASHEET得知这个SRAM跟战舰开发板的IS62WV12816ALL芯片除了管脚布置不一样外，IS61LV51216读写速度更快，其他时序都是一样的。可是问题出现，为了验证扩展的SRAM，对SRAM循环写入0-255数据，再一个字节一个字节读出来，发现每4个字节就有一个数据跟后面的数据重复，如下：
0 1 3 3 4 5 7 7 8 9 11 11 12 13 15 15 16 17 19 19 20 21 23 23 24 25 27 27 28 29 31 31 32 33 35 35 36 37 39 39 ...
本应该是0 1 2 3 4 5 6 7 8 9...

是不是我要在原模板程序做某种修改？我使用的原子的寄存器模板程序。