正点原子STM32N647开发板操作（读写，擦除等）外部NOR FLASH的问题

QQ1109252300

如题，在正点原子例程 FSBL/MX25UM25645G_W958D8NBYA5I_Example 的基础上修改程序，进行外FLASH的操作，但是不管是擦除操作还是写操作均在执行到函数 NORFlash_WaitBusy() 的时候函数返回 NORFlash_ERROR 。有没有大佬成功操作NORFLASH的方法或者代码，让小弟我瞻仰瞻仰。

QQ1109252300

问题解决了，在xip模式下对于外部flash的读写有一定的问题，在lrun模式下一切正常。

QQ1109252300

经过调试仿真，基本出现问题的位置在是 HAL_XSPI_Command() 函数里面的下面这个条件判断。  state = hxspi->State;
  if (((state == HAL_XSPI_STATE_READY)         && (hxspi->Init.MemoryType != HAL_XSPI_MEMTYPE_HYPERBUS)) ||
      ((state == HAL_XSPI_STATE_READ_CMD_CFG)  && ((pCmd->OperationType == HAL_XSPI_OPTYPE_WRITE_CFG) ||
                                                   (pCmd->OperationType == HAL_XSPI_OPTYPE_WRAP_CFG))) ||
      ((state == HAL_XSPI_STATE_WRITE_CMD_CFG) &&
       ((pCmd->OperationType == HAL_XSPI_OPTYPE_READ_CFG)  ||
        (pCmd->OperationType == HAL_XSPI_OPTYPE_WRAP_CFG))))
  {
  }


在仿真过程中监控变量的状态，发现 state 的值为 136 。变量 pCmd->OperationType 的值为0 。
有哪位大佬遇到或者知道是因为什么吗？

QQ1109252300

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