并口FLASH的访问求助！！！

敌害 · 发表于 2014-6-16 09:52:12

我有个2G的三星FLASH，8个数据位，控制脚什么的，我过去一直用IO模拟来操作，但是觉得速度慢，我看到STM32有个FSMC且能实现8位NAND闪存方式来操作它，求指点，求例程。。求各位帮帮忙吧，FLASH是8个数据位的，我坚信它能用STm32F103的FSMC控制。但不会。

八度空间 · 发表于 2014-6-16 13:02:09

参考原子哥的外部SRAM实验，做相应的改动即可

敌害 · 发表于 2014-6-16 17:30:40

回复【2楼】Badu_Space:
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感觉只能外扩512kb 啊

正点原子 · 发表于 2014-6-16 21:42:28

回复【3楼】敌害:
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看你用多少地址线。。。

敌害 · 发表于 2014-6-17 09:59:57

回复【4楼】正点原子:
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我在中文版的ST手册上的352页看到这么一句话，FSMC根据需要产生多个地址周期，理论上FSMC不限制可访问的NAND容量，这句话看了我感觉我的2G的三星FLASH访问时没问题的。可我三星的2GFLASH地址是0x00XXXXXX 这样写的，总容量是2G，可是我要想完全访问我的2G的片子，，，我用FSMC到底能访问到吗？