DDR4的单、双DIE兼容，不做仿真行不行？

edadoc

高速先生成员--姜杰

地址信号一驱五的DDR4拓扑很常见，可是，一驱五拓扑还要求单DIE、双DIE颗粒兼容的你有见过吗？

案例开讲之前，先简单介绍下DIE，英语学的好的同学都知道这个词的意思不太吉利，不过，芯片设计领域的DIE（裸晶）是另外一个意思，它通常指的是芯片内部一个单独的晶圆区域，包含了芯片的一个或一组完整功能单元，大致可以理解为去掉了封装和引脚的芯片。芯片根据功能和规模由一个或多个DIE构成。

了解了芯片DIE的概念，相信各位已经能意识到我们这个案例兼容双DIE颗粒的难度了，没错，相比于单DIE方案，双DIE方案相当于接收端数量直接翻番，信号路径更加复杂，负载也更重，信号质量的恶化基本可以预见。

让高速先生略感欣慰的是，客户也认可双DIE颗粒的实现难度，因此，可以在保证单DIE颗粒3200Mbps速率的基础上，再考虑兼容双DIE颗粒。

遇到如此善解人意的客户，高速先生丝毫没有放松，首先对一驱五拓扑的单DIE颗粒方案进行优化。熟悉高速先生文章的同学一定还记得，对于一驱多Clamshell拓扑而言，反射会在靠近主控芯片处的近端颗粒处积累，因此，我们会重点关注信号质量较差的近端颗粒。原始眼图确实不尽如人意，无论是信号质量还是时序，都满足不了协议要求。

通过对PCB设计进行一系列的优化，近端信号质量大有改善。

不得不说，眼见信号质量由坏变好，高速先生还是蛮有成就感的。只不过，愉悦的心情没有持续太久，因为很快就看到了当前设计上的双DIE颗粒仿真结果。和预期的一样，双DIE颗粒的信号质量惨不忍睹，连信号质量最好的远端颗粒都达不到有效眼高。

不过，通过观察对比，还是能发现双DIE颗粒容性较大的特点，下面是单DIE方案的远端颗粒眼图，相比上图，信号的上升沿明显陡峭很多。

为了能更清楚的说明这个问题，高速先生分别在近端和远端对比了单、双DIE颗粒在相同激励下的信号上升时间。

通过比较，我们可以得到两个信息：一是对于不同类型的颗粒，双DIE颗粒容性更强，对信号上升沿衰减更大；二是对于相同类型的颗粒，由于容性负载效应，远端颗粒的上升沿衰减比近端颗粒大。

接下来的事情就是针对双DIE颗粒的拓扑进行设计优化了。在仿真过程中，高速先生发现，适用于单DIE颗粒的端接电阻Rtt阻值，却未必能用在双DIE颗粒的方案上。比如，对于单DIE颗粒，Rtt 33.2ohm时信号质量优于Rtt 24.9ohm的情况；而对于双DIE颗粒，Rtt 24.9ohm时信号质量却比Rtt 33.2ohm时要好。

关于端接电阻对DDR地址信号的影响，高速先生之前专门写过一篇文章，感兴趣的同学可以看看《端接电阻没选对，DDR颗粒白费？》

和以往的剧情不同，对于该案例的双DIE颗粒，虽然尝试了各种优化方法，最终也未能找到一个两全其美的兼容方案，客户无奈接受了双DIE颗粒需要降频的现实。

本案例一方面说明了没有万能的拓扑，同样的设计，不同DDR颗粒的结果可能不同；另一方面，从积极的角度来看，不同的主控芯片、不同的颗粒数量，对结果也都会有影响，所以，本案例无法实现并不代表其它案例的单、双DIE兼容无法达成。

回到本文题目的问题，相信大家已经有了答案。仿真不是万能的，比如这个案例中的双DIE方案；仿真也不是没有用，比如本案例中的单DIE方案，经过仿真优化才最终达到目标速率。总而言之一句话，道阻且长，仿真护航。