F407使用FSMC控制LCD的地址建立时间和数据保持时间的时序理解问题

ningzhen

学到探索者F407的TFTLCD实验库函数版本，看开发指南和4.3寸屏的NT35510的手册，对于程序中设置的数据保持时间DATAST和地址建立时间ADDSET有一些疑惑。
查询论坛相关帖子后，目前是按照这个帖子进行一些理解，但还是有若干不懂问题，望得到原子哥和各位先进们的指点：
http://47.111.11.73/forum.php?mod=viewthread&tid=45395&highlight=%B5%D8%D6%B7%BD%A8%C1%A2%CA%B1%BC%E4

以读时序为例（开发指南库函数P264，如图1），结合NT35510手册P361的时序图和表，如图2和表1，有如下理解：

经过地址建立时间，地址稳定后，单片机才拉低OE线。
问题1：
图2和表1中，35510手册上的地址建立时间tAST是很小的，写时序是0ns，读时序是10ns，但是程序中设定地址建立时间ADDSET为90ns。
我的理解是：因为手册上有对OE线的高电平持续时间tRDHFM的最小要求，所以除了tAST之外，还应考虑到tRDHFM，因此程序中设置的ADDSET应该是按照大于等于手册中的tRDHFM设定的？
问题2：
读时序下的OE线、写时序下的WE线的电平变化都是高-低-高。图1和图2的读时序，高电平持续时间tRDHFM在低电平之前；图2中的写时序是低电平在高电平持续时间tWRH之前，我是否可以这样理解：
高电平持续时间在低电平之前还是之后根本无所谓，保证两次读取的低电平之间有足够长的高电平持续时间即可？
问题3：
F407的库函数的例程中：

1. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0XF;         //地址建立时间（ADDSET）为16个HCLK 1/168M=6ns*16=96ns.

复制代码

我记得原子哥说过F407的FSMC性能还行，那程序中设定的ADDSET是不是应该按照35510手册里面的tRDHFM设置为至少250ns？不然高电平持续时间会不够吧
可是例程中设置为90ns，实际使用也没发现有问题，这是为什么呢？
问题4：
如图1，OE的下降沿提示RAM开始准备指定地址的数据，从OE的下降沿开始，CPU经过tRDLFM时间准时拉高OE线读取数据。因此RAM必须在tRATFM时间内（手册给出最大值，早于OE上升沿）在数据线上准备好数据，并将数据至少保持一段时间，以保证OE的上升沿能读到数据。因此OE线的下降沿到上升沿这段时间（tRDLFM）就是数据保持时间DATAST。根据图2，SRAM会在OE的读数据上升沿过后再将数据保持tODH（至少5ns）时间，不过这个与程序的设计就无关了。
我这样理解正确吗？如有谬误还请不吝指点。

远命

你问题3 你应该看错了数据  FSMC_AddressSetupTime 应该指的是TAST的参数规格最低10ns读的时候 F429我实测33ns是可以的 看英文也是一样的意思不懂你为啥看上面那个 上面那个应该指的是读数据的保持时间

ningzhen

远命 发表于 2023-2-3 14:25
你问题3 你应该看错了数据  FSMC_AddressSetupTime 应该指的是TAST的参数规格最低10ns读的时候 F429我实测3 ...

问题3和问题1、2其实说的是一块儿的事：
我认为tAST这10ns指的是地址会在10ns以内稳定下来，这个时间很好满足。
但是时序图上还有OE线的高电平保持时间tRDHFM啊，我认为这个也需要满足，所以高电平应该持续250ns，而不仅仅是手册上的tAST的10ns或是例程中的90ns。
但偏偏实际上设置90ns运行起来也还行，您实测33ns也没得问题......想不通啊

不知道我这样表达明白我的意思没？您再帮看看呗

远命

ningzhen 发表于 2023-2-3 14:43
问题3和问题1、2其实说的是一块儿的事：
我认为tAST这10ns指的是地址会在10ns以内稳定下来，这个时间很 ...

我知道你的意思了 这么跟你说吧 正点的意思是 在写状态下高电平持续时间几乎等于高电平地址建立时间，因为高电平保持是在读状态下起效，所以在读状态下会慢得多 所以他采用的是异步模式 把读写分开来写了  FMC_DataSetupTime才是保持时间 他设置的应该是300多ns @正点原子 我这样解释应该没问题吧

ningzhen

远命 发表于 2023-2-3 15:41
我知道你的意思了 这么跟你说吧 正点的意思是 在写状态下高电平持续时间几乎等于高电平地址建立时间，因 ...

我也是这个意思。我对数据保持时间，也就是低电平持续时间没有疑义的，readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime例程里设置的360ns足够了。
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我有疑问的是地址建立时间，也就是高电平持续时间，我看35510的手册要求250ns以上，例程里设置的90ns，我认为设置少了。
但是设置为90ns实际跑起来又是没问题的，我是这个想不通。

远命

ningzhen 发表于 2023-2-3 16:30
我也是这个意思。我对数据保持时间，也就是低电平持续时间没有疑义的，readWriteTiming.FSMC_DataSetupTi ...

ILI9341 不是NT35510

ningzhen

@正点原子
原子哥有时间麻烦帮忙看看

正点原子

ningzhen 发表于 2023-2-3 14:43
问题3和问题1、2其实说的是一块儿的事：
我认为tAST这10ns指的是地址会在10ns以内稳定下来，这个时间很 ...

芯片有一定兼容性，或者你可以理解为支持超频使用。