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FSMC时序结构体赋值问题,地址建立时间,数据建立时间赋值

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发表于 2022-11-22 17:38:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
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本帖最后由 老乐1985 于 2022-11-22 17:43 编辑

时序结构体赋值的数值怎么感觉对应不上呢,我的理解是地址建立时间=读时序高电平的时间=ADDSET,即最少为250ns,数据建立时间=读时序低电平时间=DATAST,即最少为150ns,然后根据这个值计算相应的结构体的赋值,但为什么不对呢,时序结构体赋值的正确计算方式是什么呢

模式A读取.png
时序结构体赋值.png
NT35510时序参考时间.png
读取.png
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发表于 2022-11-22 23:14:10 | 显示全部楼层
F103的FSMC性能很拉胯的。。。所以设置值和实际值差很远,用示波器看着调试最简单。或者就用我们提供的参数即可。
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发表于 2022-11-23 08:16:20 | 显示全部楼层
F407的不用这么大数值
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发表于 2023-2-3 10:31:12 | 显示全部楼层
正点原子 发表于 2022-11-22 23:14
F103的FSMC性能很拉胯的。。。所以设置值和实际值差很远,用示波器看着调试最简单。或者就用我们提供的参数 ...

原子哥,如果用F407,也是这个35510,那是不是应该将数据保持时间设置为150ns?
但是例程里设置为90ns又确实可行,这是为什么呢?
----------------------------------------------------------
以读时序为例,结合帖主的NT35510的时序参考时间,我是这样理解的:经过地址建立时间,地址稳定后,才拉低OE线。

手册上的地址建立时间tAST是很小的,只有几ns。但是因为手册上有对OE线的高电平持续时间的最小要求,所以除了手册的tAST之外,还应考虑到tRDHFM。因此程序中设置的ADDSET应该是按照大于手册中的tRDHFM(结合手册的时序图看,是不是为了保证下一次的读数据有足够长的OE高电平呢?)

OE的下降沿提示RAM开始准备指定地址的数据,从OE的下降沿开始,CPU经过tRDLFM时间准时拉高OE线读取数据,因此RAM必须在tRATFM时间内(手册给出最大值,早于OE上升沿)在数据线上准备好数据,并将数据至少保持一段时间,以保证OE的上升沿能读到数据,因此OE线的下降沿到上升沿这段时间(tRDLFM)就是数据保持时间,当然,数据保持时间设置的稍大一些也无妨。

请教原子哥,我的这些理解对吗?
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