使用stm32f103ret6实现1ms存储20字节到外部flash中，使用什么芯片好一些

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如题。目前暂时使用该芯片+nor flash的w25q128，本来想跑文件系统，但是发现用文件系统存储数据实在是太慢太慢了，后来用数据直接存，使用前flash全部擦除为ff，不会有数据，但是还是担心遇到坏块，这样存储的数据就有断点了。请教各位大神，如何选flash芯片实现1ms存储数据，连续1小时左右，基本容量要在32M以上，

y284858

1ms 20字节，20K/s flash应该是可以满足要求，你有没有用RAM做缓冲？比如你的flash是1024字节一页，不要收到20字节就写，在缓存里面存够1024在页擦除，然后写入，减少频繁的擦写，校验，应该能有效的提高写入速度。
更进一步，你可以在接收数据的时候预先校验好页是否已经擦除过，如果没有擦就先擦掉等待数据写入
这样你只需要在一秒以内擦除20k读20k校验是否0xff 写20k读20k校验，写入是否成功，总共80k/s数据读写，市面上大部分flash应该都能满足这个要求。

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因为板子尺寸有限制，目前就用w25q128小芯片做为存储暂时测试，但是问题仍要解决，不知道用nand flash会不会实现这么快的速率存储，因为nand flash坏块较多还要判断坏块，估计得上文件系统操作nandflash

lpwithv

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LcwSwust

w25q128容量看来不够啊，要不用SD卡？

simms01

挂一片低功耗内存 加个电池。

y284858

y284858 发表于 2021-8-17 14:28
1ms 20字节，20K/s flash应该是可以满足要求，你有没有用RAM做缓冲？比如你的flash是1024字节一页，不要收 ...

以W25Q256为例

页编程时间典型值0.7ms，写入20K 需要3.5ms，使用块擦除典型时间120ms，使用RAM缓存之后，你有足够的时间进行擦写校验。

y284858

y284858 发表于 2021-8-17 14:53
以W25Q256为例

页编程时间典型值0.7ms，写入20K 需要3.5ms，使用块擦除典型时间120ms，使用RAM缓存之 ...

不太清楚你的RAM使用情况，RET6有64k RAM 如果你的设备不是很复杂应该是有足够的空间做RAM 缓冲，
你先全片擦除再写也可以，如果你担心有坏块那就需要做管理，在写入后读出校验是非写入成功，做一个坏块标记的管理

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LcwSwust 发表于 2021-8-17 13:42
w25q128容量看来不够啊，要不用SD卡？

sd卡环境不允许，有振动，而且时间长了怕不靠谱

kbq1950361006

simms01 发表于 2021-8-17 14:13
挂一片低功耗内存 加个电池。

是啊，如果是挂一个内存，加个电池，就可以用掉电检测，然后把内存的东西一下子存起来的方式了，但是目前这个方案一个是没用过，第二个是时间比较紧，第三个就是板子很小，50*50mm圆形，估计很难实现这部分电路

kbq1950361006

y284858 发表于 2021-8-17 15:08
不太清楚你的RAM使用情况，RET6有64k RAM 如果你的设备不是很复杂应该是有足够的空间做RAM 缓冲，
你先 ...

目前基本使用的就是这个方式，手头有的是128，暂时用这个调试，数据采样率目前设置为200k，以1秒的时间定时存储，一次就是200*n个字节，这样除去1秒的采集时间，每次存储间隔相差90ms左右，暂时就这样了，等买的256到了，在更换，上位机我做了一个检验，使用前先全片擦除，然后全片读取，如果全都是ff，这个板子就是能用的，否则就不能用更换板子，板子有个好处就是每次是空数据，然后等待开机，类似于黑匣子，一次性的黑匣子，存满了就等着读取，然后再次擦除判断好坏，给下次用。

kbq1950361006

感谢大家的热心回答，我目前还有一个问题，这个w25q128/256  的 nor flash是不是出厂基本是没有坏块的，不像是nand flash工艺问题，处理很麻烦，然后这个nor flash如果真的出现了坏块，读取出的数据是ff还是00，这个问题比较重要，再次感谢大家的热心回答，和宝贵的建议。

y284858

kbq1950361006 发表于 2021-8-18 00:01
感谢大家的热心回答，我目前还有一个问题，这个w25q128/256  的 nor flash是不是出厂基本是没有坏块的，不 ...

我有一个思路你可以试试，在你写的时候带校验，例如一页1024字节，那么你留出4字节做校验，前面1020保存数据，
校验方式可以根据你的mcu计算性能综合来选，基本CRC16应该可以了，
写入之后读出来校验是否写入成功，不成功就写到下一个块，
读出来的时候用同样的方式对前面1020字节数据做计算然后跟写入时的校验数据对比，如果一致那么这个数据就是对的，如果失败则读取数据是错误的直接丢弃读下一个
这样即使中间有坏了的块应该也不受影响，

kbq1950361006

y284858 发表于 2021-8-18 10:36
我有一个思路你可以试试，在你写的时候带校验，例如一页1024字节，那么你留出4字节做校验，前面1020保存 ...

这样是个办法，可以对坏块跳过处理，这个我得测试下，每次 写入一个区域，在读取出来判断写入的对不对，如果这个时间超过50ms，我就得放弃了，因为本身要求对所有数据都是以一定频率采集的存储的，目前我已经相当于在200hz的中间有个1hz的断点（100ms），在断点更长时间就不能接受了

y284858

kbq1950361006 发表于 2021-8-18 11:45
这样是个办法，可以对坏块跳过处理，这个我得测试下，每次 写入一个区域，在读取出来判断写入的对不对， ...

如果crc16校验采用查表方式，加上读写应该是很快的，具体的时间没有测试过，你可以测试一下。

LearningASM

LZ可以看看循环式日志式记录，以前在门禁设备上使用。
系统上电时需要找到数据的头位置和尾位置。数据写在尾位置，同时尾位置向后移。若尾位置接近头位置，把头位置扇区擦除。
好处是写入是不用等待删除。缺点是数据需要从尾位置找起。