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目前我没看到如何通过STM32cubeIDE或者STM32cubeMX来生成flash操作文件，只能通过原子的HAL库例程来编写。
/*
* bsp_stmflash.c
*
* Created on: Aug 25, 2020
* Author: jiangyuanyuan
*/
#include "bsp_stmflash.h"
//读取指定地址的字(32位数据)
//faddr:读地址
//返回值:对应数据.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(vu32*)faddr;
}
//获取某个地址所在的flash扇区
//addr:flash地址
//返回值:0~11,即addr所在的扇区
u8 STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;
return FLASH_SECTOR_11;
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
// 写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
// 写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F(注意：最后16字节，用于OTP数据块锁定，别乱写！！)
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
u32 SectorError=0;
u32 addrx=0;
u32 endaddr=0;
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址
if(addrx<0X1FFF0000)
{
while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
{
if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
{
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型，扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇区
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr<endaddr)//写数据
{
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上锁
}
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{
u32 i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
ReadAddr+=4;//偏移4个字节.
}
}
//////////////////////////////////////////测试用///////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData)
{
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08010000 //设置FLASH 保存地址(必须为4的倍数，且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.
//否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.
u8 write_buf[255] = {0};
#define TEXT_LENTH sizeof(write_buf) //数组长度
#define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0)
void stmflash_test(void)
{
u8 read_buf[255] = {0};
u8 i = 0;
for(i=0;i<255;i++)
write_buf[i] = i;
printf("TEXT_LENTH = %d,SIZE = %d\r\n",TEXT_LENTH,SIZE);
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)write_buf,SIZE);
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)read_buf,SIZE);
for(i=0;i<255;i++)
printf("%2d\t",read_buf[i]);
}
/*
* bsp_stmflash.h
*
* Created on: Aug 25, 2020
* Author: jiangyuanyuan
*/
#ifndef INC_BSP_STMFLASH_H_
#define INC_BSP_STMFLASH_H_
#include "stm32f4xx_hal.h"
#include "bsp_sys.h"
#include "stdio.h"
//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
#define FLASH_WAITETIME 50000 //FLASH等待超时时间
//FLASH 扇区的起始地址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((u32)0x08000000) //扇区0起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((u32)0x08004000) //扇区1起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((u32)0x08008000) //扇区2起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((u32)0x0800C000) //扇区3起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((u32)0x08010000) //扇区4起始地址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((u32)0x08020000) //扇区5起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((u32)0x08040000) //扇区6起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((u32)0x08060000) //扇区7起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((u32)0x08080000) //扇区8起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((u32)0x080A0000) //扇区9起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((u32)0x080C0000) //扇区10起始地址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((u32)0x080E0000) //扇区11起始地址,128 Kbytes
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr); //读出字
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite); //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead); //从指定地址开始读出指定长度的数据
//测试写入
void Test_Write(u32 WriteAddr,u32 WriteData);
void stmflash_test(void);
#endif /* INC_BSP_STMFLASH_H_ */
谁有很好的办法，通过STM32cubeIDE或者STM32cubeMX来生成flash操作文件？我是基于STM32cubeIDE编译器，编译得到的结果也是对的。
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发表于 2020-8-25 17:51:06
楼主
发表于 2020-8-26 01:05:39
