关于NAND Flash随机读写的问题

fskofcpu

我想请教一下NAND FLash随机读写问题，正点原子设计的FafFS+FTL对NAND Flash读写时是以扇区512字节为单位的，页面大小是4K，但是FTL层的底层驱动读写时没有采用随机读写，而是直接给出页内地址进行读写的。NAND Flash不是只能以页为单位进行读写吗？这样难道不需要随机读写吗？驱动层中只有对空闲区的ECC校验值的读写是采用随机读写的。
NAND Flash规定只能按页读写，那给出的五个周期中的页内地址有什么用，如果不用随机读写，这个是不是只能从页的最开头读写了，页地址也就没用了？但是我实验，不使用随机读写命令，通过改变页内地址，也是可以从任意位置读写数据的啊！

fskofcpu

自己顶

fskofcpu

@正点原子  帮忙解答一下

fskofcpu

@zuozhongkai 帮忙看一下，谢谢

正点原子

你怎么定义随机读写？ NAND只要给正确的地址就可以开始操作了。  FATFS访问的时候，以扇区寻址，没毛病。

fskofcpu

正点原子 发表于 2019-5-22 02:40
你怎么定义随机读写？ NAND只要给正确的地址就可以开始操作了。  FATFS访问的时候，以扇区寻址，没毛病。

原子哥：
1、NAND Flash只要给出具体的页内地址就可以在页内任意位置读写吗？这样读写属于随机读写吗，需要使用随机读写命令来操作实现还是进行普通读写命令就可以？
2、我看正点原子FTL代码数据区存储时没有使用随机读写命令（FTL读写以扇区为单位，所以每次写入或读出肯定得需要页内寻址，而不是整页读写，这样算不算随机读写，算的话为什么不用随机读写命令。）
3、为什么仅仅在读写spare区的ECC校验码时使用随机读写。谢谢！

正点原子

fskofcpu 发表于 2019-5-22 09:46
原子哥：
1、NAND Flash只要给出具体的页内地址就可以在页内任意位置读写吗？这样读写属于随机读写吗， ...

从你给的地址读，但是可以连续输出数据（地址自增）。你要读其他地址，重新给。
实在搞不明白，你自己写一个吧。

fskofcpu

正点原子 发表于 2019-5-23 02:56
从你给的地址读，但是可以连续输出数据（地址自增）。你要读其他地址，重新给。
实在搞不明白，你自己写 ...

原子哥，我明白你说的随机读取的意思，我的意思是正点原子的FTL层的底层驱动这样随机读写时为什么没有用随机读写命令？

simms01

...page_r  page_w  这2个函数和 FTL 没有关系   这2个函数就是读写指定地址  而已.....................  随机读写 是FTL层的事  不是这2个最底层函数的事，FTL让读写那个地址就读写那个地址。

fskofcpu

simms01 发表于 2019-5-23 11:33
...page_r  page_w  这2个函数和 FTL 没有关系   这2个函数就是读写指定地址  而已.....................   ...

那这两个底层函数不是就与NAND Flash的随机读写有关吗？NAND Flash除了整页写和整页读的话对任意地址的读、写不应该用随机读写命令吗？

正点原子

fskofcpu 发表于 2019-5-23 10:28
原子哥，我明白你说的随机读取的意思，我的意思是正点原子的FTL层的底层驱动这样随机读写时为什么没有用 ...

随机读命令是哪个？

fskofcpu

正点原子 发表于 2019-5-24 02:34
随机读命令是哪个？

随机读命令根据NAND Flash手册上的时序必须在读命令后使用

正点原子

fskofcpu 发表于 2019-5-24 09:20
随机读命令根据NAND Flash手册上的时序必须在读命令后使用

按你的需求改试试吧

chijt2008

fskofcpu 发表于 2019-5-24 09:20
随机读命令根据NAND Flash手册上的时序必须在读命令后使用

兄弟，你给出的Random data output in a page时序图上已经说明一切了，前面的0x00,0x30指令组合代表从给定的页内起始地址开始连续读N个字节，后面如果接着想要读其他任意地址则必须要发送0x05,0xe0指令组合才能读

陶佳不哭

前面的整页写命令操作完成后已经确定了页地址了，后面的随机写命令，只需要给列地址，也就页内地址就行了