这是STM32给的例程:
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
WriteAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
pBuffer++;
}
}
//在指定地址开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
for(;n!=0;n--)
{
*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
ReadAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
}
这里SRAM是16位的,这么做我觉得16位中只使用了8位,有点浪费了。看手册说如果16位的外部SRAM有UB和LB,当用8位请求AHB时,FSMC会用NBL[1:0]进行协调读取数据的高低字节。
于是我将代码中的
WriteAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
和
ReadAddr+=2;//这里需要加2,是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
都改成了+=1,但是为什么调试的时候出现错误,而且是进入到了hardfault的中断例程里去了呢?
求解答?另外如果我理解有误的话,想用UB和LB访问16为存储器的高低字节的话应该怎么做呢? |