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我已经把一个变量存进FLASH,但是因为断电以后,程序重启,回到了定义变量上,不知道怎么改

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发表于 2019-2-18 15:25:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
现在是10,按键keyup加一keydown减一,我通过按键之后,数字发生变化,我重启电源之后依旧是10,应该是存进去了,但是我没法显示出存进去的量

这个存储函数

这个存储函数

下面主函数

下面主函数
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发表于 2019-2-18 19:53:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 edmund1234 于 2019-2-18 20:01 编辑

一定要给这个m做个状态标记m_marker(同样存于flash),上电后检查状态标记m_marker, 如果m_marker==0x55, 就从flash调出m_value, 否则就赋默认值m=10

更新时 m_value=m;m_marker=0x55;


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发表于 2019-2-18 15:47:14 | 显示全部楼层

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u32 m=读flash();

或者flash别的位置定一个flag,判断flag 看初始化m的时候是否赋值10
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 楼主| 发表于 2019-2-18 15:59:59 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-2-18 15:47
u32 m=读flash();

或者flash别的位置定一个flag,判断flag 看初始化m的时候是否赋值10

第一种方法应该不行吧,我最初用这个试了没成功,第二个没怎么明白,能详细说一下嘛?
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发表于 2019-2-18 17:24:06 | 显示全部楼层
钧哥 发表于 2019-2-18 15:59
第一种方法应该不行吧,我最初用这个试了没成功,第二个没怎么明白,能详细说一下嘛?

第一种方法不行证明你就没写进去

检验方法就是写lcd,别写m  写读出来的值,看看按键能让他变化不

或者串口打印下最方便
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发表于 2019-2-18 17:25:26 | 显示全部楼层
写进去之后,再读出来,看是几,debug总会看吧
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 楼主| 发表于 2019-2-18 18:52:01 | 显示全部楼层
nashui_sx 发表于 2019-2-18 17:24
第一种方法不行证明你就没写进去

检验方法就是写lcd,别写m  写读出来的值,看看按键能让他变化不

我这样说,一开始就存进10也就是m=读flash(10)这个是指存10的读取函数,然后通过按键加减,接着存储,假如断电,程序不是从头开始嘛,m依旧是读flash(10)的,那通过加减的m被读取的10覆盖了
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发表于 2019-2-18 19:46:00 | 显示全部楼层
这个不行的, 只要你再编译又或重新下载,原来的10(默认值)就会overwrite你更新的值的。
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发表于 2019-2-18 20:30:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 nashui_sx 于 2019-2-18 20:36 编辑
edmund1234 发表于 2019-2-18 19:46
这个不行的, 只要你再编译又或重新下载,原来的10(默认值)就会overwrite你更新的值的。

既然flash模拟eeprom ,魔术棒都应该勾着 do not erase  这样两种方案都是可以的

或者参考下我之前发的 原子代码上封装了两个函数,完全类似eeprom了  还有选项字节也可以用eeprom
http://www.openedv.com/forum.php ... d=273881&extra=
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发表于 2019-2-18 22:14:40 | 显示全部楼层
1、只看到你写,没看到你读取出来啊,m的值当然就是初始化的值10
2、flash_adr是多少?不要被程序代码给覆盖了
3、要加新器件识别机制的,新芯片第一次上电要初始化
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