资源上来说,第二种方式比第一种方式会占用更少的 ROM 空间。
应用电路

可以根据实际使用情况取舍 COM 和增减 SEG,比如 LCD 可以是 1/2 Duty,那么只需要保留两个 COM 即可,SEG 同样可以参照范例程序扩展。 
根据上述说明,分 8 次依次设置 COM0~COM3 的输出,SEG 是输出 VDD 还是输出 VSS 需要根据要显示的数字判断,使用第一种驱动方式时 I/O 详细电位设置请参考下表:
 
这里也可以采用扫描的方式
结论
    本范例驱动 4×8 LCD 显示正常,用户只需要稍加改造即可套用到所选用的 1/2 Bias 规格的LCD 上。 
我使用的是第一种扫描方式,大致流程图如下,其中有些地方对的不怎么齐

void LCD_Control(void)
{
        static unsigned char state = 0;
    
    if(!Back_Light_Is_Open)                // 背光检测
    {
        P1CFG1 = _b01101010;        // 配置COM1,COM2,COM3为高阻
        P3CFG0 = _b01010110;        // 配置COM4为高阻
        
        return;
    }
    
    LCD_BACK_LIGHT_CONTROL();        // 背光控制
    
    Refresh_Wrod();         // 刷新字幕
    Refresh_Light_Flash();  // 刷新灯光动画
    Refresh_Fan_Flash();    // 刷新风扇动画
    Refresh_UV_Lamp_Flash();// 刷新消毒动画
    Refresh_Down_Flash();   // 刷新下降动画
    Refresh_Up_Flash();     // 刷新上升动画
    
        switch(state)
        {   // 01强推,10高阻
                case 0:                // 扫描 COM1
                {
                        COM_L(1);
                        P1CFG1 = _b01100110;        // 配置COM1为强推,COM2,COM3为高阻
                        P3CFG0 = _b01010110;        // 配置COM4为高阻
            
                        COM1_SEG_SET();
                        state = 1;
                }break;
                case 1:                // 扫描 COM1
                {
                        COM_H(1);
            
            COM1_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 2;
                }break;
                case 2:                // 扫描 COM2
                {
            COM_L(2);
                        P1CFG1 = _b01101001;        // 配置COM2为强推,COM1,COM3为高阻
                        
                        COM2_SEG_SET();
            
                        state = 3;
                }break;
                case 3:                // 扫描 COM2
                {
            COM_H(2);
                        
                        COM2_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 4;
                }break;
        case 4:                // 扫描 COM3
                {
            COM_L(3);
                        P1CFG1 = _b01011010;        // 配置COM3为强推,COM1,COM2为高阻
                        
                        COM3_SEG_SET();
            
                        state = 5;
                }break;
                case 5:                // 扫描 COM3
                {
            COM_H(3);
                        
                        COM3_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 6;
                }break;
        case 6:                // 扫描 COM4
                {
            COM_L(4);
                        P1CFG1 = _b01101010;        // 配置COM1,COM2,COM3为高阻
                        P3CFG0 = _b01010101;        // 配置COM4为强推
                        
                        COM4_SEG_SET();
            
                        state = 7;
                }break;
                case 7:                // 扫描 COM4
                {
            COM_H(4);
                        
                        COM4_SEG_SET_NOT();
            
                        state = 0;
                }break;
        default:
        {
            state = 0;
        }break;
        }
}
代码中 COM4_SEG_SET_NOT(); 是 COM4_SEG_SET(); IO对应段取反所得 
 
COM_L(4); 拉低 COM4口 
 
其他类似 
 
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这里说明一点,我是先将 IO口电平输出再配置功能的,因为在实际操作过程中会发现从高阻态转换至强推模式时会有 零点几微秒的脉冲干扰,具体宽度根据单片机速度来决定。
大概是因为单片机在从强推模式转换至高阻态时 IO配置虽被改变,但输出寄存器中的数据还会继续保持,所以才会有脉冲干扰的吧,先将 IO口输出电平改变再将 IO口状态从高阻切换至强推时就不会有脉冲干扰了
 
这是先配置 IO输出状态再修改输出电平的,后来想了下,寄存器中应该是保存了最后一次 IO输出的电平,所以从高阻态切换至强推后直接将输出相应的电平,等到再次配置 IO口输出的电平时这是才会改变,所以才会在开始的时候有一个低脉冲