FLASH寿命问题

光域20141028

为了增加Flash使用寿命，在一个扇区内采用标志的方法，写满一页后再擦除，想知道不擦除写会不会减少Flash使用寿命

void UserClock_SpecialSave(void)
{
    WORD buff[4] = {0};
   
    buff[0] = 0xAA55;
    buff[1] = clockDay;
    buff[2] = clockHour;
    buff[3] = clockMin;
    GD_FlashWriteNoErase(buff,sizeof(buff)/2);
}

//不写满一个扇区，不擦除写Flash测试,延长Flash使用寿命
//写入数据最大为1KB
//return 0操作正确
const WORD markStr = 0xAA55;
u8 GD_FlashWriteNoErase(u16 *p_buffer,u16 numToWrite)
{
    s8 i = 0;
    s8 a = 0;
fmc_unlock();      //解锁

    GD_FlashRead(GD32_CLOCK_TIME_ADDR, GDFLASH_BUF,sizeof(GDFLASH_BUF)/2);
    for(i=127; i>=0; i--)   //如果在127*8处读到0xAA55,说明整页已经写满
    {
        a = memcmp(&GDFLASH_BUF[4*i], &markStr, sizeof(markStr));
        if(a == 0)
        {
            if(i != 127)
            {
                GD_FlashWriteNoCheck(GD32_CLOCK_TIME_ADDR+8*(i+1),p_buffer,numToWrite);
                break;
            }
            else
            {
                fmc_page_erase(GD32_CLOCK_TIME_ADDR);//擦除这个扇区
                GD_FlashWriteNoCheck(GD32_CLOCK_TIME_ADDR,p_buffer,numToWrite);
                break;
            }
        }
    }
    if(i < 0)
    {
        GD_FlashWriteNoCheck(GD32_CLOCK_TIME_ADDR,p_buffer,numToWrite);
    }         
fmc_lock();//上锁
return 0;
}

u16 flashReadBuff[512] = {0};
extern WORD markStr;
void UserClock_SpecialRead(void)
{
    s8 i = 0;
    WORD buff[3] = {0};
    GD_FlashRead(GD32_CLOCK_TIME_ADDR,flashReadBuff,sizeof(flashReadBuff)/2);
    for(i=127; i>=0; i--)
    {
        if(memcmp(&flashReadBuff[4*i], &markStr, sizeof(markStr)) == 0)
        {
            memcpy(buff, &flashReadBuff[4*i+1], sizeof(buff));
            break;
        }
    }
    if(i < 0)
    {
        clockDay = 0;
        clockHour = 0;
        clockMin = 0;
    }
    else
    {
        clockDay = buff[0];
        clockHour = buff[1];
        clockMin = buff[2];
    }
}

正点原子

不会，FLASH算的是擦除寿命