STF5NK100Z场效应管参数介绍

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　　产品型号：STF5NK100Z
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　额定工作电流：3.5A(Tc)
　　漏源电压（Vdss）：1000V
　　栅源极阈值电压（最大值）：4.5V@100?A
　　漏源导通电阻（最大值）：3.7Ω@1.75A,10V
　　类型：N-Channel
　　功率耗散（最大值）：30W(Tc)

　　产品特征：
　　非常高的dv/dt能力
　　雪崩测试100%
　　最低栅极电荷
　　非常低的内在电容
　　很好的重复性制造

　　绝对最大额定值：

　　1、仅允许最高温度限制
　　2、安全工作区限制脉宽
　　3、ISD小于3.5A，DI/dt小于200A/μs，VDD±V（BR）DSS，TJ小于TJMAX。

　　热数据：


　　雪崩特性：
　　雪崩电流，重复或不重复（脉冲宽度受TJMAX限制）：3.5A
　　单脉冲雪崩能量（启动TJ＝25°C，ID＝IAR，VDD＝50V）：250MJ

　　包装机械数据：
　　为了满足环境要求，ST根据其环境兼容性级别，提供不同级别ECOPACK∈包的这些设备。