外部SRAM程序有一点不能理解，求教

LLS

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)

{

for(;n!=0;n--)  

{    

*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;  

WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.

pBuffer++;

}   

}
这个程序中的 WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1. 
写在 *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;这个语句后面能起到对齐FSMC地址的作用吗？
还是应当下在它的前面呢

u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组
for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;//预存测试数据
这个直接把数据存到地址里面，不需要对齐FSMC地址了吗？






 

正点原子

回复【楼主位】LLS:
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这里+1才对。
库函数版本还没改过来，寄存器版本已经修正了。
 *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer
这句不需要对其，这句因为有了VU8*这个强制转换,FSMC回去控制UB/LB的高低字节，来控制写入的数据，所以地址不需要加2了...

LLS

回复【2楼】正点原子:
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回复【2楼】正点原子:
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原子哥，是不是WriteAddr=4096时，对应的SRAM地址是2048呢？

u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组
for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;//预存测试数据

testsram[1]对应的地址右移以后也就变成了0x68000010了是吗？

正点原子

回复【3楼】LLS:
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WriteAddr=4096，地址是：0X68001000
testsram[1]的地址是：0X68000000+0X100

LLS

回复【4楼】正点原子:
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还是不大理解:
比如在SRAM的地址0写入1个8位的字节，那么LB会输出有效，而UB则保持不变（高电平），表示写入地址0的低8位，写法就是： 
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;//0XAA是你想写入的字节。 
而如果要在SRAM地址0写入高8位，那么对于STM32来说，地址就相应加1即可，即： 
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+1)=0XAA; 
此时LB会输出高电平，UB会输出有效电平（低电平），表示写入地址0,的高字节。 
这样，对STM32来说，地址就是连续的了，0，1,2,3,4,5，都是合法的了，自然就不需要你的地址右移对齐了，硬件通过UB/LB去控制了。

看过你写的这个，是不是一个地址可以写入两个字节的数据。Bank1_SRAM3_ADDR+0与 Bank1_SRAM3_ADDR+1右移后的地址对应的是0X68000000，Bank1_SRAM3_ADDR+2与Bank1_SRAM3_ADDR+3右移后地址是0X68000001。。。。所以实现地址连续呢
WriteAddr=4096，对应地址是0X68000800，testsram[1]的地址是：0X68000002。
我理解是在哪出错了呢？

jermy_z

mark

正点原子

回复【5楼】LLS:
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地址已经是连续的了是吧？
那4096应该是：0X1000
testsram[1]=地址+4=0X6800 0004

前面我的100是错的，搞成二进制去了...倒。

LLS

回复【7楼】正点原子:
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原子哥，你说的是RAM的地址吗？
可是你在上面在SRAM地址0写入了高八位和低八位，WriteAddr就加到1
那在SRAM地址二写入高八位和低八位时，WriteAddr加到3
那么在SRAM地址2048写入高八位和低八位时，WriteAddr不就加到4095吗
那WriteAddr=4096时，SRAM地址不也就成了2049了吗？

正点原子

回复【8楼】LLS:
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这个看是不是从0数起，地4096个数据，和从0开始数，还是从1开始数有关系。
从0开始数，第4096个是4095，没错。
从1开始数，那就是4096.
这个，你自己权衡下吧。

LLS

回复【9楼】正点原子:
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好的，谢谢原子哥