STM32F407写30个数据至SRAM在GUI_Clear()后进入HardFault_Handler

电磁场

原子的SRAM写函数
[mw_shl_code=c,true]//在指定地址(WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR)开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n)
{
        for(;n!=0;n--)
        {
                *(__IO uint8_t*)(EXT_SRAM_ADDR + WriteAddr) = *pBuffer;
                WriteAddr++;
                pBuffer++;
        }
}[/mw_shl_code]

测试代码
[mw_shl_code=c,true]temp = 0x12;
        for(i=0;i<30;i++)       
        {
                FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
        }
       
        GUI_SetBkColor(GUI_BLACK);
        GUI_Clear();[/mw_shl_code]

以上代码，在执行GUI_Clear()后进入HardFault_Handler()，不知道为什么？

把i<30改成i<25就能正常执行了

电磁场

[mw_shl_code=c,true]uint8_t External_SRAM_BootTest(void)
{
        uint32_t i=0;            
        uint8_t temp=0;            
        
        t_printf("testing external sram...\r\n",i,temp);
        
        temp = 0x12;
        for(i=0;i<1024*1024;i++)        //每个地址写入特定字节
        {
                FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
        }
        
         for(i=0;i<1024*1024;i++)        //读出每个地址的内容
        {
                temp = 0;
          FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
                if(temp != 0x12)
                {
                        t_printf("external sram test failed! error address = 0x%x,read value = %d\r\n",i,temp);
                        return 0;
                }
                if(i==1024*1024-1)
                {
                        t_printf("external sram test successful!\r\n",i,temp);
                        return 1;
                }
         }
        return 0;
}[/mw_shl_code]
以上是测试SRAM的程序，写1024*1024个0x12，再一个一个读出来，最后能正常返回successful的

正点原子

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......有开发板的同志位，求验证