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关于原子的FLASH 模拟 EEPROM 实验几点请教

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发表于 2018-7-16 10:32:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
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今天在学习 原子哥的利用STM32单片机FLASH 模拟 EEPROM 实验。我的疑问:原子的例程flash存储空间利用率是不是只有一半?比如,我有100个字节数据要存,按照这个例程的方法,是不是至少需要预留200个字节以上的空间位置?
如果想节约空间,那就是需要自己将两个字节拼成一个16位的数据再存。谢谢@正点原子 [mw_shl_code=applescript,true]#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif                 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)           
         u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {        
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;         
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                    
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0         
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移           
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                }         
        };        
        FLASH_Lock();//上锁
}
#endif
[/mw_shl_code]

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把u8类型的数组,强制转换成u16,然后写一半的长度,就不存在空间浪费了。。。
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发表于 2018-7-16 10:32:05 | 显示全部楼层
把u8类型的数组,强制转换成u16,然后写一半的长度,就不存在空间浪费了。。。
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 楼主| 发表于 2018-7-19 11:05:48 | 显示全部楼层
正点原子 发表于 2018-7-16 10:32
把u8类型的数组,强制转换成u16,然后写一半的长度,就不存在空间浪费了。。。

谢谢原子哥。那这样的话就是要进行数组长度计算了,如果原u8数组长度是10个字节(偶数),那强制转换成u16数组后,写入flash的时的长度就是10/2=5就OK。
如果原u8数组数据长度为11个,最后一个字节比如是0x5E的话,那么这个u8数组强制转换u16写入flash的长度应该是6吧?如果是6的话,最后一个写入的u16数据是什么,0x????
问题可能比较小白,比较基础的一些知识,希望得到大家的指导。谢谢!@正点原子
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