有人有stm32F2读写内部Flash的库吗

a3748622

类似原子哥那个F1读写内部Flash的，有F2版本的不。有的话可以分享一下不

正点原子

可以去ST官方找找参考例程

candylife9

源文件的flash.c里面不是有读FLASH的函数吗。。。这个是最可靠的，读一个字。

a3748622

candylife9 发表于 2018-4-18 09:26
源文件的flash.c里面不是有读FLASH的函数吗。。。这个是最可靠的，读一个字。

并不是这个问题。。。。。
原子哥在F103的读写Flash的程序里，是进行了数据处理的。
比方说，某个地址已经被写了数据了。如果想要继续写这个地址就需要擦除操作，
然后要计算擦除的起始以及结束page，而且还要将被擦除数据除外，page的数据读出再重新写入，以免破坏其它数据。。。
总之没那么简单

a3748622

正点原子 发表于 2018-4-18 01:31
可以去ST官方找找参考例程

我试试看

a3748622

正点原子 发表于 2018-4-18 01:31
可以去ST官方找找参考例程

原子哥，我发现F2好坑。只能擦写sector
而且256K的Flash，有一个sector是128KB的。
这叫我怎么缓冲数据？不可能声明一个128KB的数组的啊，这不是扯淡么

candylife9

a3748622 发表于 2018-4-18 11:11
并不是这个问题。。。。。
原子哥在F103的读写Flash的程序里，是进行了数据处理的。
比方说，某个地址 ...

这个也是调用了flash.c里面的几个函数，只是加了些自己的逻辑。但是实际的FLASH应用都很简单，不需要你判断是不是已经写过了，或者保护不需要擦除的数据之类的，而是要写直接擦了写一遍就可以了。不然的话就不适合用内部FLASH了，因为为了方便，在内部FLASH中保存一个独立的参数，哪怕是一个字节，一般都会分配一个PAGE(1K)，擦除也只能按PAGE擦除，参数多了就应该用EEPROM来做。

candylife9

a3748622 发表于 2018-4-18 11:13
原子哥，我发现F2好坑。只能擦写sector
而且256K的Flash，有一个sector是128KB的。
这叫我怎么缓冲数据 ...

原子的例程只是为了教大家怎么使用FLASH，而不是说适合用到实际的项目中。

a3748622

candylife9 发表于 2018-4-18 13:41
这个也是调用了flash.c里面的几个函数，只是加了些自己的逻辑。但是实际的FLASH应用都很简单，不需要你判 ...

是的，F1确实是这样。。。。但这个是F2啊，内部Flash扇区不一样的，而且它不支持page擦除

candylife9

a3748622 发表于 2018-4-18 13:46
是的，F1确实是这样。。。。但这个是F2啊，内部Flash扇区不一样的，而且它不支持page擦除

那就更不能用于存储大量独立参数，如果你将这些参数存储到一起，那就需要大量内存来临时保存这些参数。如果你把这些参数分sector存储，就太浪费FLASH资源。所以

动次打次歌

说F2坑的显然是还不知道选型是什么意思
看了205的手册，和楼主所描述的Flash相关特性如下：
• 128 bits wide data read
• Byte, half-word, word and double word write
• Sector and mass erase
所以定义128K的数组也没有用，因为并不支持扇区或者页写
如果觉得浪费空间，为何不用16K和64K的扇区，“A main memory block divided into 4 sectors of 16 Kbytes, 1 sector of 64 Kbytes,
and 7 sectors of 128 Kbytes”7楼的方法没有问题，或者干脆外接SPI Flash或者EEPROM，这个也不慢
不清楚楼主的应用场景，所以我只能说在硬件接口的前提之下，去选择最合适的方式
希望可以帮到你

a3748622

动次打次歌 发表于 2018-4-18 16:32
说F2坑的显然是还不知道选型是什么意思
看了205的手册，和楼主所描述的Flash相关特性如下：
• 128  ...

怎么就不支持扇区擦写了呢。。。。。
Sector and mass erase，意思是扇区和整个芯片的擦除

方法我已经找到了，类似IAP，程序存储在后面扇区，前面一个16K扇区存数据。
至于外接Flash什么的，看来你们老板很大方，1000个产品要1000个Flash。。。。

至于选型，原本的F103就支持page擦除，后来改F2了。至于为什么要改，是因为后期的
某些原因。所以，请不要臆断别人好吗。。。。。。

a3748622

candylife9 发表于 2018-4-18 16:27
那就更不能用于存储大量独立参数，如果你将这些参数存储到一起，那就需要大量内存来临时保存这些参数。如 ...

我说的坑并不是你所表达的这个点啊。

我存储用的参数就几个而已，但是存储很频繁，所以我要做一个动态平衡方案。
怎么就做不到用自身Flash存储呢？除了代码我还多出了好几十KB空间呢。

动次打次歌

a3748622 发表于 2018-4-19 14:28
怎么就不支持扇区擦写了呢。。。。。
Sector and mass erase，意思是扇区和整个芯片的擦除

我没有说擦写哦，我说的是写

a3748622

动次打次歌 发表于 2018-4-20 09:30
我没有说擦写哦，我说的是写

是不支持扇区写啊。。。。
反正F2这Flash是有点蛋疼，可以擦除page的话管理起来方便多了。

流年丶

VFS 虚拟扇区管理 了解一下

yconnor

流年丶 发表于 2019-5-21 14:04
VFS 虚拟扇区管理 了解一下

你这个很666啊。