f407 flash的读写错误

jimmjimm

我在官方iap上改,在以前103上完成的改都出现一个问题,不光是擦除还是写,总是返回flash_error_program

在代码简化到只剩

                FLASH_Unlock();        

                FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_PGSERR | FLASH_FLAG_PGPERR |   FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_WRPERR |    FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_EOP);        

                FLASH_OB_Unlock();

                FLASH_OB_WRPConfig(OB_WRP_Sector_4, DISABLE);

                FLASH_OB_WRPConfig(OB_WRP_Sector_5, DISABLE);

                FLASH_OB_WRPConfig(OB_WRP_Sector_6, DISABLE);

                FLASH_OB_WRPConfig(OB_WRP_Sector_7, DISABLE);

                

                FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_4,VoltageRange_3);

                FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_5,VoltageRange_3);

                FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_6,VoltageRange_3);

                FLASH_EraseSector(FLASH_Sector_7,VoltageRange_3);

也是一样,每一句擦除与设置写保护失效都返回flash_error_program这可能是什么原因呢?

正点原子

还没搞过F4的IAP，看看F4的相关文档，有没有说明什么特殊的地方。

jimmjimm

回复【2楼】正点原子:
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刚刚试了下,官方的iap程序也返回一样的错误...真奇怪,难道是硬件错误?可是板子我换了一块还是一样的错误啊...

正点原子

回复【3楼】jimmjimm:
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还不知道，今晚回去弄下STM32F4的FLASH 模拟EEPROM。
不过发现F4和F1的FLASH差别好大，主要是F4的SECTOR太大了，最小的都是16KB，接下来就是64KB,128KB!!!
我勒个去...得开这么大的内存做缓存，型号F4内存够多，否则只能望洋兴叹了....

看来在STM32F4做FLASH模拟EEPROM，只能具有参考意义，没有实际意义了....

jimmjimm

回复【4楼】正点原子:
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啊,发现一点端倪了..所有对flash寄存器的操作似乎都无效,不管是flash_unlock还是clearflag,寄存器的内容都没有改变,这是什么原因呢?flash好像也没有什么时钟使能之类的操作啊.....

jimmjimm

回复【4楼】正点原子:
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发现问题了,结果发现是JTAG的问题,如果用jtag调试,不论是单步还是断点,都会发生flash不能擦写的情况(因为jtag可能读写flash导致flash的其中2个错误状态表示一直是高)不过103就没这个问题