关于FSMC的时序部分的一段话有点看不懂，谁能帮我解释解释？

feilusia

 

第一个看不懂的是公式如何得来？我看了STM32参考手册中FSMC中的模式B读写时序图

因为读的周期比较长，所以我怎么觉得公式应该是max(Twc,Trc)=((ADDSET+1)+(DATAST+1)+2HCLK).
第二个看不懂的是我找不到S29GL512P手册中的那几个参数，我搜索“130ns”这个数据也搜不到。

正点原子

回复【楼主位】feilusia:
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1，公式是根据第二个图来的啊，公式后面不是有备注么？比如Twc，表示存储芯片的写周期长度，一个写周期包括什么？不就是图2的时序图吗？不过你图1的公式确实应该还加上2*HCLK。
2，这种参数，在数据手册的电气特性部分，一般都有写的，好好找找吧。

feilusia

回复【2楼】正点原子:
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这两个公式是不是可以这么理解。
读操作时序图可得：Trc=(ADDSET+1)*HCLK+(DATAST+1)*HCLK+2HCLK..............①式
写操作时序图可得：Twc=(ADDSET+1)*HCLK+(DATAST+1)*HCLK........................②式
两式中的ADDSET和DATAST是独立的，为了可以统一配置两式的ADDSET和DATAST，方程式至少要满足：
max(Twc,Trc)<=min(①式，②式）=(ADDSET+1)*HCLK+(DATAST+1)*HCLK
由模式2的写操作时序图可得写信号持续长度公式为：Twp=(DATAST+1)*HCLK-HCLK=DATAST*HCLK.

那如果我用的是模式B，可根据时序图得到的写信号持续长度公式应该为：
Twp=(ADDSET+1)*HCLK+(DATAST+1)*HCLK-HCLK=(ADDSET+DATAST+1)*HCLK.

feilusia

 

我只找到这三个时序相关的表格，512M的读时序应该是110ns，写时序应该是25ns吧？我不知道我之前的截图里那个130ns哪里来的。

正点原子

不知道你怎么看资料的...

feilusia

回复【5楼】正点原子:
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我错了，没注意到百度百科的资料到50页要翻页……谢谢原子哥

feilusia

回复【5楼】正点原子:
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我还有一个疑问，我在文档上看到TAH-------Address Hold Time---------30 ns,
但是我配置FSMC时让p.FSMC_AddressHoldTime = 0x00依然可以成功读写NORFLASH，这样是否会出现什么问题？

正点原子

回复【7楼】feilusia:
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用示波器看波形，以实际波形为准。